dimm2是什么意思
dimm2這個(gè)詞是用于存儲(chǔ)方面的一個(gè)用語(yǔ)，我們可以來(lái)看看它的意思是什么?下面是學(xué)習(xí)啦小編給大家整理的dimm2是什么意思，供大家參閱!
dimm2是什么意思
我用魯大師檢測(cè)內(nèi)存 顯示DIMM2 三星DDR3 1067 2G 這是什么意思啊 ??
是不是我的電腦可以插兩根內(nèi)存條 現(xiàn)在的內(nèi)存條是插在2上 ??是不是這個(gè)意思啊
答案：
現(xiàn)在的內(nèi)存條是插在2上 ?
說(shuō)的不錯(cuò)，你的內(nèi)存是插在第2條槽上，有第2當(dāng)然有第1，當(dāng)然還有可能有第3第4，不一定只有2個(gè)槽，還可能有4個(gè)。
上面的信息是 內(nèi)存的廠商 類型 頻率 容量。
SO-DIMM介紹
為了滿足筆記本電腦對(duì)內(nèi)存尺寸的要求，SO-DIMM(Small Outline DIMM Module)也開(kāi)發(fā)了出來(lái)，它的尺寸比標(biāo)準(zhǔn)的DIMM要小很多，而且引腳數(shù)也不相同。同樣SO-DIMM也根據(jù)SDRAM和DDR內(nèi)存規(guī)格不同而不同，SDRAM的SO-DIMM只有144pin引腳，而DDR的SO-DIMM擁有200pin引腳。此外筆記本內(nèi)存還有MicroDIMM和Mini Registered DIMM兩種接口。MicroDIMM接口的DDR為172pin，DDR2為214pin;Mini Registered DIMM接口為244pin，主要用于DDR2內(nèi)存。DDR3 SO-DIMM接口為204pin;DDR4 SO-DIMM接口為260pin。
FB-DIMM介紹
因?yàn)橐话愕膬?nèi)存主要是采用傳統(tǒng)的64位并行設(shè)計(jì)，即北橋芯片的內(nèi)存控制器與內(nèi)存模塊之間均通過(guò)64位的并行總線來(lái)數(shù)據(jù)交換，但此類并行總線設(shè)計(jì)有一個(gè)最大的缺點(diǎn)：就是相鄰線路很容易受到干擾。這是因?yàn)橐话愕腄IMM采用一種“短線連接”(Stub-bus)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
在這種結(jié)構(gòu)中，每個(gè)芯片與內(nèi)存控制器的數(shù)據(jù)總線都有一個(gè)短小的線路相連，這樣會(huì)造成電阻抗的不連續(xù)性，從而影響信號(hào)的穩(wěn)定與完整，頻率越高或芯片顆粒越多，影響也就越大。這也是一般基于此類并行體系的內(nèi)存如DDR頻率低下的原因。
Small Outline Dual Inline Memory Module(縮寫(xiě)SODIMM):小外形雙列直插式內(nèi)存模塊。
DIMM簡(jiǎn)介
Dual-Inline-Memory-Modules,即雙列直插式存儲(chǔ)模塊。這是在奔騰CPU推出后出現(xiàn)的新型內(nèi)存條，DIMM提供了64位的數(shù)據(jù)通道，因此它在奔騰主板上可以單條使用。它有168條引腳，故稱為168線內(nèi)存條。它要比SIMM插槽要長(zhǎng)一些，并且它也支持新型的168線EDO-DRAM存儲(chǔ)器。適用DIMM的內(nèi)存芯片的工作電壓一般為3.3V(使用EDORAM內(nèi)存芯片的168線內(nèi)存條除外)，適用于SIMM的內(nèi)存芯片的工作電壓一般為5V(使用EDORAM或FBRAM內(nèi)存芯片)，二者不能混合使用。
對(duì)比比較
DIMM與SIMM比較
DIMM(Dual Inline Memory Module，雙列直插內(nèi)存模塊)與SIMM(single in-line memory module，單邊接觸內(nèi)存模組)相當(dāng)類似，不同的只是DIMM的金手指兩端不像SIMM那樣是互通的，它們各自獨(dú)立傳輸信號(hào)，因此可以滿足更多數(shù)據(jù)信號(hào)的傳送需要。同樣采用DIMM，SDRAM 的接口與DDR內(nèi)存的接口也略有不同，SDRAM DIMM為168Pin DIMM結(jié)構(gòu)，金手指每面為84Pin，金手指上有兩個(gè)卡口，用來(lái)避免插入插槽時(shí)，錯(cuò)誤將內(nèi)存反向插入而導(dǎo)致燒毀;DDR DIMM則采用184Pin DIMM結(jié)構(gòu)，金手指每面有92Pin，金手指上只有一個(gè)卡口?？跀?shù)量的不同，是二者最為明顯的區(qū)別。DDR2 DIMM為240pin DIMM結(jié)構(gòu)，金手指每面有120Pin，與DDR DIMM一樣金手指上也只有一個(gè)卡口，但是卡口的位置與DDR DIMM稍微有一些不同，因此DDR內(nèi)存是插不進(jìn)DDR2 DIMM的，同理DDR2內(nèi)存也是插不進(jìn)DDR DIMM的，因此在一些同時(shí)具有DDR DIMM和DDR2 DIMM的主板上，不會(huì)出現(xiàn)將內(nèi)存插錯(cuò)插槽的問(wèn)題。
服務(wù)器使用的DIMM
主要有三種：帶寄存器的、不帶寄存器的與低負(fù)載。這些類別定義了由內(nèi)存模塊施加的電力負(fù)載。
Registered DIMM(RDIMM)是最常見(jiàn)的內(nèi)存模塊類型。RDIMM使用寄存器，從電力上將內(nèi)存模塊從剩余主板中隔離出來(lái)。積極的一方面是，只需更少的電力負(fù)載支持，系統(tǒng)能夠填充更多RDIMM，支撐內(nèi)存容量。不好的是緩沖組件增加了對(duì)內(nèi)存轉(zhuǎn)換的延遲，稍微降低了性能并增加了能耗需求。
Unregistered DIMM(UDIMM)是與RIMM一樣的內(nèi)存設(shè)備，無(wú)需緩沖。該內(nèi)存模塊只有少許延遲與能源消耗，但為主板呈現(xiàn)的是更大的電力負(fù)載。UDIMM限制了每個(gè)通道能夠使用的多少DIMM。擁有UDIMM內(nèi)存的服務(wù)器無(wú)法支持與使用RIMM一樣的內(nèi)存容量。UDIMM通常為那些需要適度內(nèi)存數(shù)量與中等延遲的服務(wù)器而準(zhǔn)備的。
低負(fù)載DIMM(LRDIMM)不使用比較復(fù)雜的寄存器，而是使用簡(jiǎn)單緩沖。緩沖降低了在下層主板上的電力負(fù)載，但對(duì)能源與內(nèi)存性能幾乎無(wú)影響。不似RDIMM與LRDIMM讓服務(wù)器制造商在每個(gè)內(nèi)存通道上放更多模塊。因此，LRDIMM設(shè)計(jì)能包含大型卷系統(tǒng)內(nèi)存，而不產(chǎn)生高的延遲費(fèi)用。
兩個(gè)RDIMMS無(wú)法成為一個(gè)LRDIMM：服務(wù)器無(wú)法在一個(gè)通道中混合模塊類型，例如，兩個(gè)RDIMM與一個(gè)LRDIMM。通常，服務(wù)器也無(wú)法在通道之間混合不同DIMM。選擇一個(gè)DIMM類型，能交付最佳容量與性能即可。
一般來(lái)說(shuō)，使用服務(wù)器能夠支持的最大的DIMM。這通常可以為系統(tǒng)潛在整合(或故障恢復(fù))提供最佳價(jià)值與更多的內(nèi)存。管理員能節(jié)省成本，并能使用更小模塊填充DIMM插槽，但這樣可能無(wú)法為未來(lái)升級(jí)預(yù)留足夠內(nèi)存，還可能使得高級(jí)可用性功能，如內(nèi)存保留與鏡像更加麻煩。
對(duì)于虛擬與整合服務(wù)器來(lái)說(shuō)，安裝更多內(nèi)存貌似是最簡(jiǎn)單的答案，但更多的內(nèi)存失敗的風(fēng)險(xiǎn)更大，還會(huì)破壞服務(wù)器的工作負(fù)載。
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