三、低壓內(nèi)存在什么平臺(tái)適用

　　低壓內(nèi)存是從Haswell平臺(tái)開始大量出現(xiàn)的，可以工作在Haswell平臺(tái)以外的筆記本上，理論上Sandy Bridge(2011年發(fā)布，下文簡稱SNB，屬于二代智能酷睿處理器)和更老的Calpella(2010年發(fā)布，第一代智能酷睿處理器)平臺(tái)筆記本的1 .5V內(nèi)存插槽也能識(shí)別這種低壓版的內(nèi)存。而且DDR3L與標(biāo)準(zhǔn)的DDR3內(nèi)存互相兼容，可以混搭使用并正常工作在雙通道模式下。

　　但需要注意的，DDR3L內(nèi)存普遍從單條4GB容量起步，甚至還有單條8GB的版本。但是，包括Calpella平臺(tái)在內(nèi)的老款筆記本(芯片組為HM55、GM45/PM45或更老)，也就是2011年之前的機(jī)器最高僅支持單條4GB內(nèi)存。

　　還有就是最新發(fā)布的Skylake-S僅支持DDR4以及DDR3L兩種內(nèi)存，不支持DDR3內(nèi)存了。大家在購買時(shí)需要了解自己的電腦平臺(tái)之后在進(jìn)行選擇購買。

　　四、升級(jí)筆記本內(nèi)存如何選購

　　打算升級(jí)筆記本內(nèi)存的朋友后，在購買的時(shí)候，要根據(jù)自己筆記本電腦內(nèi)存的實(shí)際情況，從以下幾個(gè)方面入手：

　　主頻

　　不同主頻的內(nèi)存插在一起，或者主板不支持的內(nèi)存會(huì)產(chǎn)生兼容性問題。

　　容量

　　理論上來說，容量是越大越好，但實(shí)際一般用戶使用4GB的內(nèi)存已經(jīng)綽綽有余。而且，32位的系統(tǒng)也只能支持到3.25GB的內(nèi)存容量，再大的系統(tǒng)就無法識(shí)別了。

　　所以，要升級(jí)到4GB以上，就必須使用64位的系統(tǒng)了。如果需要查看自己電腦系統(tǒng)是32位還是64位，可以右擊桌面上的“計(jì)算機(jī)”，然后選擇“屬性”，打開“系統(tǒng)”窗口進(jìn)行查看。

　　CL延遲

　　CL反應(yīng)時(shí)間是衡量內(nèi)存性能的另一個(gè)標(biāo)志。指的是內(nèi)存存取數(shù)據(jù)所需要的延長時(shí)間，簡單的說，就是內(nèi)存接到CPU指令后的反應(yīng)速度。一般參數(shù)值是2和3兩種。數(shù)字越小，代表反應(yīng)所需的時(shí)間越短。

　　低壓內(nèi)存

　　標(biāo)準(zhǔn)電壓處理器理論上對(duì)標(biāo)壓和低壓內(nèi)存都可以完美兼容，但考慮到不太大的性能差異以及低壓內(nèi)存良好的溫度表現(xiàn)，建議優(yōu)先選擇低壓內(nèi)存進(jìn)行升級(jí)。

　　容量方面建議4GB起步，頻率1600MHz最佳，畢竟當(dāng)下的應(yīng)用程序和操作系統(tǒng)對(duì)內(nèi)存容量的要求越來越高，雖然頻率的提升對(duì)性能的影響不大，但是價(jià)格相差不大的情況下買高頻率的顯然更劃算。