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雙通道內(nèi)存相關(guān)介紹

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雙通道內(nèi)存相關(guān)介紹

  相信很多人對雙通道內(nèi)存這個概念并不了解,雙通道內(nèi)存是什么?雙通道內(nèi)存有什么好處?這里學(xué)習(xí)啦小編給大家介紹下,一起來看看。

  雙通道內(nèi)存相關(guān)介紹

  雙通道內(nèi)存是什么?

  雙通道內(nèi)存是一種能夠讓電腦性能提升的技術(shù),說白了是兩者內(nèi)存由串聯(lián)方式改良為并聯(lián)方式,以得到更大的內(nèi)存帶寬,從而提升內(nèi)存速度。

  使用單通道技術(shù)時,主板上多條內(nèi)存是以串聯(lián)方式運(yùn)作,也就是僅是當(dāng)作一條內(nèi)存運(yùn)作,只是容量會相加。內(nèi)存總線寬度為64-bit,無論安裝幾條內(nèi)存,帶寬都固定為64-bit。

  雙通道內(nèi)存有什么好處?

  雙通道內(nèi)存利用并聯(lián)方式工作,當(dāng)成對安裝兩條內(nèi)存時,總線寬度將會達(dá)到128-bit,帶寬翻倍性能也會增加,性能一般可以提升5%-10%。

  值得一提的是,雙通道內(nèi)存對獨(dú)顯電腦性能提升不是很大,而對于一些核顯或者APU電腦,性能提升會比較明顯,尤其是核顯APU電腦,很多朋友都熱衷選擇2根4GB內(nèi)存組建8GB雙通道,而不是直接上單條8GB內(nèi)存,這就是雙通內(nèi)存更有利于提升APU性能的一個運(yùn)用。

  注意事項(xiàng)

  1、必須同代

  理論上,雙通內(nèi)存沒有品牌要求,沒有容量對等要求,但必須是同代內(nèi)存,也就是如果用的是DDR4內(nèi)存,兩條都必須是DDR4,不能DDR3和DDR4混用,否則不兼容。另外,最好是同品牌內(nèi)存,不同品牌內(nèi)存也可能出現(xiàn)不兼容。

  2、雙通道內(nèi)存超頻困難

  由于雙通道內(nèi)存架構(gòu)原因,其超頻比較困難,對于喜歡DIY超頻用戶,有一定限制。

  以上就是雙通道內(nèi)存的好處與安裝方法,總的來說,雙通道內(nèi)存對電腦性能提升有所幫助,不過主要是針對核顯或者APU電腦優(yōu)勢比較明顯,而如今大內(nèi)存獨(dú)顯時代,雙通道內(nèi)存與單通道內(nèi)存差異極小,因此目前大多數(shù)裝機(jī)用戶,選擇雙通道的其實(shí)也并不算多。

  總的來說,論性能,雙通道內(nèi)存更有優(yōu)勢,而論性價比和穩(wěn)定性,單通道內(nèi)存更有優(yōu)勢,尤其是大內(nèi)存時代,內(nèi)存已經(jīng)不是瓶頸,一般單通道內(nèi)存就夠了,除非是核顯或者APU平臺,一般單/雙通道差異不大,用戶可以按照自己喜歡的選擇即可。

  關(guān)于雙通道內(nèi)存

  雙通道,就是在北橋(又稱之為MCH)芯片級里設(shè)計(jì)兩個內(nèi)存控制器,這兩個內(nèi)存控制器可相互獨(dú)立工作,每個控制器控制一個內(nèi)存通道。在這兩個內(nèi)存通CPU可分別尋址、讀取數(shù)據(jù),從而使內(nèi)存的帶寬增加一倍,數(shù)據(jù)存取速度也相應(yīng)增加一倍(理論上)。

  目前流行的雙通道內(nèi)存構(gòu)架是由兩個64bit DDR內(nèi)存控制器構(gòu)筑而成的,其帶寬可達(dá)128bit。因?yàn)殡p通道體系的兩個內(nèi)存控制器是獨(dú)立的、具備互補(bǔ)性的智能內(nèi)存控制器,因此二者能實(shí)現(xiàn)彼此間零等待時間,同時運(yùn)作。兩個內(nèi)存控制器的這種互補(bǔ)“天性”可讓有效等待時間縮減50%,從而使內(nèi)存的帶寬翻倍。 雖然這項(xiàng)新規(guī)格主要是芯片組與主機(jī)板端的變化,然而雙通道存在的目的,也是為了解決內(nèi)存頻寬的問題,使主機(jī)板在即使只使用DDR400內(nèi)存的情況下,也可以達(dá)到頻寬6.4GB/s。雙通道是一種主板芯片組(Athlon 64集成于CPU中)所采用新技術(shù),與內(nèi)存本身無關(guān),任何DDR內(nèi)存都可工作在支持雙通道技術(shù)的主板上。

  工作原理

  雙通道內(nèi)存技術(shù)其實(shí)是一種內(nèi)存控制和管理技術(shù),它依賴于芯片組的內(nèi)存控制器發(fā)生作用,在理論上能夠使兩條同等規(guī)格內(nèi)存所提供的帶寬增長一倍。它并不是什么新技術(shù),早就被應(yīng)用于服務(wù)器和工作站系統(tǒng)中了,只是為了解決臺式機(jī)日益窘迫的內(nèi)存帶寬瓶頸問題它才走到了臺式機(jī)主板技術(shù)的前臺。在幾年前,英特爾公司曾經(jīng)推出了支持雙通道內(nèi)存?zhèn)鬏敿夹g(shù)的i820芯片組,它與RDRAM內(nèi)存構(gòu)成了一對黃金搭檔,所發(fā)揮出來的卓絕性能使其一時成為市場的最大亮點(diǎn),但生產(chǎn)成本過高的缺陷卻造成了叫好不叫座的情況,最后被市場所淘汰。由于英特爾已經(jīng)放棄了對RDRAM的支持,所以目前主流芯片組的雙通道內(nèi)存技術(shù)均是指雙通道DDR內(nèi)存技術(shù)

  內(nèi)存技術(shù)

  雙通道內(nèi)存技術(shù)是解決CPU總線帶寬與內(nèi)存帶寬的矛盾的低價、高性能的方案?,F(xiàn)在CPU的FSB(前端總線頻率)越來越高,英特爾 Pentium 4比AMD Athlon XP對內(nèi)存帶寬具有高得多的需求。英特爾 Pentium 4處理器與北橋芯片的數(shù)據(jù)傳輸采用QDR(Quad Data Rate,四次數(shù)據(jù)傳輸)技術(shù),其FSB是外頻的4倍。英特爾 Pentium 4的FSB分別是400、533、800MHz,總線帶寬分別是3.2GB/sec,4.2GB/sec和6.4GB/sec,而DDR 266/DDR 333/DDR 400所能提供的內(nèi)存帶寬分別是2.1GB/sec,2.7GB/sec和3.2GB/sec。在單通道內(nèi)存模式下,DDR內(nèi)存無法提供CPU所需要的數(shù)據(jù)帶寬從而成為系統(tǒng)的性能瓶頸。而在雙通道內(nèi)存模式下,雙通道DDR 266、DDR 333、DDR 400所能提供的內(nèi)存帶寬分別是4.2GB/sec,5.4GB/sec和6.4GB/sec,在這里可以看到,雙通道DDR 400內(nèi)存剛好可以滿足800MHz FSB Pentium 4處理器的帶寬需求。而對AMD Athlon XP平臺而言,其處理器與北橋芯片的數(shù)據(jù)傳輸技術(shù)采用DDR(Double Data Rate,雙倍數(shù)據(jù)傳輸)技術(shù),F(xiàn)SB是外頻的2倍,其對內(nèi)存帶寬的需求遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于英特爾 Pentium 4平臺,其FSB分別為266、333、400MHz,總線帶寬分別是2.1GB/sec,2.7GB/sec和3.2GB/sec,使用單通道的DDR 266、DDR 333、DDR 400就能滿足其帶寬需求,所以在AMD K7平臺上使用雙通道DDR內(nèi)存技術(shù),可說是收效不多,性能提高并不如英特爾平臺那樣明顯,對性能影響最明顯的還是采用集成顯示芯片的整合型主板。

  內(nèi)存擴(kuò)展

  NVIDIA推出的nForce芯片組是第一個把DDR內(nèi)存接口擴(kuò)展為128-bit的芯片組,隨后英特爾在它的E7500服務(wù)器主板芯片組上也使用了這種雙通道DDR內(nèi)存技術(shù),SiS和VIA也紛紛響應(yīng),積極研發(fā)這項(xiàng)可使DDR內(nèi)存帶寬成倍增長的技術(shù)。但是,由于種種原因,要實(shí)現(xiàn)這種雙通道DDR(128 bit的并行內(nèi)存接口)傳輸對于眾多芯片組廠商來說絕非易事。DDR SDRAM內(nèi)存和RDRAM內(nèi)存完全不同,后者有著高延時的特性并且為串行傳輸方式,這些特性決定了設(shè)計(jì)一款支持雙通道RDRAM內(nèi)存芯片組的難度和成本都不算太高。但DDR SDRAM內(nèi)存卻有著自身局限性,它本身是低延時特性的,采用的是并行傳輸模式,還有最重要的一點(diǎn):當(dāng)DDR SDRAM工作頻率高于400MHz時,其信號波形往往會出現(xiàn)失真問題,這些都為設(shè)計(jì)一款支持雙通道DDR內(nèi)存系統(tǒng)的芯片組帶來不小的難度,芯片組的制造成本也會相應(yīng)地提高,這些因素都制約著這項(xiàng)內(nèi)存控制技術(shù)的發(fā)展。

  內(nèi)存控制

  普通的單通道內(nèi)存系統(tǒng)具有一個64位的內(nèi)存控制器,而雙通道內(nèi)存系統(tǒng)則有2個64位的內(nèi)存控制器,在雙通道模式下具有128bit的內(nèi)存位寬,從而在理論上把內(nèi)存帶寬提高一倍。雖然雙64位內(nèi)存體系所提供的帶寬等同于一個128位內(nèi)存體系所提供的帶寬,但是二者所達(dá)到效果卻是不同的。雙通道體系包含了兩個獨(dú)立的、具備互補(bǔ)性的智能內(nèi)存控制器,理論上來說,兩個內(nèi)存控制器都能夠在彼此間零延遲的情況下同時運(yùn)作。比如說兩個內(nèi)存控制器,一個為A、另一個為B。當(dāng)控制器B準(zhǔn)備進(jìn)行下一次存取內(nèi)存的時候,控制器A就在讀/寫主內(nèi)存,反之亦然。兩個內(nèi)存控制器的這種互補(bǔ)“天性”可以讓等待時間縮減50%。雙通道DDR的兩個內(nèi)存控制器在功能上是完全一樣的,并且兩個控制器的時序參數(shù)都是可以單獨(dú)編程設(shè)定的。這樣的靈活性可以讓用戶使用二條不同構(gòu)造、容量、速度的DIMM內(nèi)存條,此時雙通道DDR簡單地調(diào)整到最低的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)來實(shí)現(xiàn)128bit帶寬,允許不同密度/等待時間特性的DIMM內(nèi)存條可以可靠地共同運(yùn)作。

  臺式芯片

  支持雙通道DDR內(nèi)存技術(shù)的臺式機(jī)芯片組,英特爾平臺方面有英特爾的865P、865G、865GV、865PE、875P以及之后的915、925系列;VIA的PT880,ATI的Radeon 9100 IGP系列,SIS的SIIS 655,SIS 655FX和SIS 655TX;AMD平臺方面則有VIA的KT880,NVIDIA的nForce2 Ultra 400,nForce2 IGP,nForce2 SPP及其以后的芯片。在雙通道流行的今天,MCP73居然不支持。當(dāng)然,考慮到設(shè)計(jì)Intel平臺芯片組時必須加入內(nèi)存控制器,再加上MCP73是單芯片設(shè)計(jì),能夠做到如此高的集成度實(shí)屬不易,畢竟是針對低端整合市場的芯片組產(chǎn)品,也無須對MCP73Series不支持雙通道這一點(diǎn)過分苛求。而且當(dāng)前單通道DDR2800所提供的帶寬也已經(jīng)可以滿意處理器的需要。MCP73最多支持2組DIMM,最高可支持8GB系統(tǒng)內(nèi)存,不過有別于Intel芯片組設(shè)計(jì),MCP73內(nèi)存控制器并不會和FSB速度同步,因此使用任何速度的FSB處理器,均能支持DDR2-800頻率,這在一定程度上彌補(bǔ)了不支持雙通道DDR2的不足。

  AMD

  AMD的64位CPU,由于集成了內(nèi)存控制器,因此是否支持內(nèi)存雙通道看CPU就可以。目前AMD的臺式機(jī)CPU,只有938接口的才支持內(nèi)存雙通道,754接口的不支持內(nèi)存雙通道。除了AMD的64位CPU,其他計(jì)算機(jī)是否可以支持內(nèi)存雙通道主要取決于主板芯片組,支持雙通道的芯片組上邊有描述,也可以查看主板芯片組資料。此外有些芯片組在理論上支持不同容量的內(nèi)存條實(shí)現(xiàn)雙通道,不過實(shí)際還是建議盡量使用參數(shù)一致的兩條內(nèi)存條。

  安裝要求

  內(nèi)存雙通道一般要求按主板上內(nèi)存插槽的顏色成對使用,此外有些主板還要在BIOS做一下設(shè)置,一般主板說明書會有說明。當(dāng)系統(tǒng)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)雙通道后,有些主板在開機(jī)自檢時會有提示,可以仔細(xì)看看。由于自檢速度比較快,所以可能看不到。因此可以用一些軟件查看,很多軟件都可以檢查,比如cpu-z,比較小巧。在“memory”這一項(xiàng)中有“channels”項(xiàng)目,如果這里顯示“Dual”這樣的字,就表示已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了雙通道。兩條256M的內(nèi)存構(gòu)成雙通道效果會比一條512M的內(nèi)存效果好,因?yàn)橐粭l內(nèi)存無法構(gòu)成雙通道。

  過去內(nèi)存模塊在頻寬與數(shù)據(jù)傳輸速度方面的進(jìn)展,始終與中央處理器保持一定程度的落差,而隨著中央處理器的運(yùn)算速度越來越快,在理想的狀況下必須同時提升前端總線(Front Side Bus) 以及內(nèi)存總線 (Memory Bus) 的速度,以便讓計(jì)算機(jī)系統(tǒng)能夠表現(xiàn)出原先預(yù)期的效能,然而以單信道的內(nèi)存速度以及總線的傳輸頻寬,仍是無法應(yīng)付中央處理器及前端總線的需求。

  隨著Intel將前端總線外頻提升至800MHz ,中央處理器與北橋芯片之間的數(shù)據(jù)傳輸頻寬將提升至6.4GB/s,而此一頻寬不論是使用DDR266或是DDR333的內(nèi)存模塊,都不足以應(yīng)付,必須同時搭配雙通道 (Dual Channel)的DDR400內(nèi)存規(guī)格才能達(dá)到6.4GB/s,以符合FSB800對頻寬的需求。

  規(guī)則:

  要實(shí)現(xiàn)雙通道模式, 必須滿足以下條件:

  在每個通道 DIMM 配置匹配

  匹配在對稱內(nèi)存插槽

  如果配置不滿足上述條件恢復(fù)為單通道模式。 以下情況不需要滿足:

  品牌相同

  計(jì)時規(guī)格相同

  相同的速度 (MHz)

  DIMM 模塊中組裝的速度最慢系統(tǒng)決定內(nèi)存通道速度。

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