內(nèi)存實(shí)用基礎(chǔ)大全
對(duì)于電腦內(nèi)存，可能大家都覺得內(nèi)存影響不到游戲幀數(shù)，但這其實(shí)是非常片面的。舉個(gè)例子，在玩絕地求生時(shí)，按下TAB鍵會(huì)卡頓或者游戲忽然掉幀，那就是內(nèi)存不足導(dǎo)致的。下面就讓小編帶你去看看內(nèi)存實(shí)用基礎(chǔ)大全，希望能幫助到大家!
又到了學(xué)點(diǎn)內(nèi)存知識(shí)的季節(jié)
什么是DDR?
DDR，全稱：DDR SDRAM ，Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memary，即，雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體，也就是我們常用的內(nèi)存，它從SDRAM的基礎(chǔ)上發(fā)展起來，以后依次出現(xiàn)了DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SDRAM。它們的能效不斷提升。文章結(jié)尾附一張純良心內(nèi)存能效參數(shù)表。
DDR間有什么區(qū)別?
1、SDRAM
SDRAM內(nèi)部組成如，可見其組成可以分為幾個(gè)部分，存儲(chǔ)陣列、IO門控單元、行列地址解碼器、行列地址鎖存器、邏輯控制單元(包含模式寄存器)、數(shù)據(jù)輸入輸出寄存器等。
存儲(chǔ)矩陣內(nèi)部結(jié)構(gòu)，以8位內(nèi)存單元為例，每個(gè)內(nèi)存單元的數(shù)據(jù)輸出是并聯(lián)在一起，通過行列地址線選中一個(gè)存儲(chǔ)單元，
存儲(chǔ)容量大小和數(shù)據(jù)位寬度、行地址、列地址、塊數(shù)量等的關(guān)系：
單片容量(bit)=單片位寬×行數(shù)×列數(shù)×塊數(shù)量
2、DDR SDRAM
DDR的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與SDRAM相比，數(shù)據(jù)讀寫部分改進(jìn)比較大。其一，使用了兩位預(yù)讀取的技術(shù);其二，增加了DLL(delay lock loop演示鎖定回路);其三，增加了數(shù)據(jù)掩碼控制和數(shù)據(jù)總線反轉(zhuǎn)控制;此外，時(shí)鐘信號(hào)和數(shù)據(jù)選通信號(hào)改為差分信號(hào)。
3、DDR2 SDRAM
DDR2 SDRAM整體布局變化不大，在輸入輸出數(shù)據(jù)總線接口上變化比較多。
DDR2在DDR的基礎(chǔ)上增加了ODT(on-die termination片上終結(jié)，即通過內(nèi)部邏輯選擇合適的終端電阻進(jìn)行匹配)功能，預(yù)讀取提高到了4位，即每傳輸4個(gè)字節(jié)/字，只有第一個(gè)字節(jié)/字有潛伏期。
4、DDR3 SDRAM
DDR3 SDRAM在輸入輸出數(shù)據(jù)總線接口上繼續(xù)提升性能，在存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)上改進(jìn)工藝，堆疊更多的存儲(chǔ)塊，提高單顆芯片的容量。
在功能上的改進(jìn)有，增加了讀寫平衡功能。
5、DDR4 SDRAM
DDR4 SDRAM在輸入輸出數(shù)據(jù)總線接口上繼續(xù)改善性能，在存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)上繼續(xù)改進(jìn)工藝，不僅堆疊更多的存儲(chǔ)塊，而且使用硅片穿孔工藝把把堆疊成的存儲(chǔ)塊進(jìn)行并列放置，集中到一顆芯片中，提高單顆芯片的容量。
內(nèi)存的一些簡(jiǎn)單入門知識(shí)
首先是大家都知道的，也是百度百科的資料，內(nèi)存是什么?
內(nèi)存條是連接CPU 和其他設(shè)備的通道，起到緩沖和數(shù)據(jù)交換作用。 當(dāng)CPU在工作時(shí)，需要從硬盤等外部存儲(chǔ)器上讀取數(shù)據(jù)，但由于硬盤這個(gè)“倉庫”太大，加上離CPU也很“遠(yuǎn)”，運(yùn)輸“原料”數(shù)據(jù)的速度就比較慢，導(dǎo)致CPU的工作效率大打折扣!為了解決這個(gè)問題，人們便在CPU與外部存儲(chǔ)器之間，建了一個(gè)“小倉庫”——內(nèi)存。
內(nèi)存的特點(diǎn)是存儲(chǔ)速度快。內(nèi)存是電腦中的主要部件，它是相對(duì)于外存而言的。我們平常使用的程序，如QQ、瀏覽器、游戲，包括WINDOWS系統(tǒng)，一般都是安裝在硬盤等外存上的，但僅此是不能使用其功能的，必須把它們調(diào)入內(nèi)存中運(yùn)行，才能真正使用其功能，我們平時(shí)輸入一段文字，或玩一個(gè)游戲，其實(shí)都是在內(nèi)存中進(jìn)行的。就好比在一個(gè)書房里，存放書籍的書架或書柜相當(dāng)于電腦的外存，而我們工作的辦公室就是內(nèi)存。通常我們把要永久保存的、大量的數(shù)據(jù)存在外存上，當(dāng)然內(nèi)存的好壞會(huì)直接影響電腦的運(yùn)行速度。
內(nèi)存的發(fā)展歷史
內(nèi)存分為DRAM和ROM兩種，前者又叫動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，它的一個(gè)主要特征是斷電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失，我們平時(shí)說的內(nèi)存就是指這一種;后者又叫只讀存儲(chǔ)器，我們平時(shí)開機(jī)首先啟動(dòng)的是存于主板上ROM中的BIOS程序，然后再由它去調(diào)用硬盤中的Windows，ROM的一個(gè)主要特征是斷電后數(shù)據(jù)不會(huì)丟失。
而我們平時(shí)所說的“內(nèi)存條”則隸屬于DRAM類別下的SDRAM家族。
第一代 SDR SDRAM
第二代 DDR SDRAM
第三代 DDR2 SDRAM
第四代 DDR3 SDRAM
第五代DDR4 SDRAM
我們現(xiàn)在常用的DDR4就是第五代內(nèi)存了!
關(guān)于內(nèi)存頻率、時(shí)序還有電壓的一些解釋
所謂內(nèi)存頻率，就是我們經(jīng)常說的某某品牌，DDR4 2133、2400、2666…等等，后面這些數(shù)字就是內(nèi)存頻率。
一般情況下，內(nèi)存頻率的高低，決定了內(nèi)存性能的強(qiáng)弱。內(nèi)存頻率越高，內(nèi)存帶寬也就越高，正常工作的速度會(huì)更快。
關(guān)于內(nèi)存時(shí)序，也就是我們?cè)贑PU-Z里面所看到的數(shù)字了。
內(nèi)存時(shí)序是描述內(nèi)存條性能的一種參數(shù)，一般存儲(chǔ)在內(nèi)存條的SPD中。這些參數(shù)設(shè)置的越小，內(nèi)存處理數(shù)據(jù)越快，但是也越不穩(wěn)定;反之較慢，但是穩(wěn)定性提高，因此需要設(shè)置合適的內(nèi)存時(shí)序。一般DDR4 2133的內(nèi)存默認(rèn)時(shí)序是15-15-15-35…
關(guān)于內(nèi)存電壓，每代內(nèi)存電壓都是有一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)范圍的。比如我們現(xiàn)在用的DDR4內(nèi)存電壓默認(rèn)為1.2V，超頻也最好不要超過1.5V;而DDR3的內(nèi)存則是從1.5-2.0V;DDR2則是2V起步。
現(xiàn)在內(nèi)存所支持的XMP是什么?
Intel XMP全名是Extreme Memory Profile，是針對(duì)DDR3模塊而推出的一項(xiàng)認(rèn)證。
其主要功能就是高階的內(nèi)存設(shè)定，內(nèi)存廠商除了會(huì)在內(nèi)存預(yù)設(shè)普通的SPD值外，另外亦會(huì)寫入更為高速的設(shè)定。當(dāng)然，廠商們可以任意替旗下的內(nèi)存模塊寫進(jìn)更加高速的設(shè)定，但這樣就沒有任何穩(wěn)定性的保證及標(biāo)準(zhǔn)，所以業(yè)界便引入XMP設(shè)計(jì)。
XMP會(huì)在內(nèi)存地址176-254中記錄內(nèi)存的速度，而最多可以保存2組的設(shè)定值。廠商們?nèi)缧枰玫絏MP的認(rèn)證，就必須把內(nèi)存及該設(shè)定送交Intel測(cè)試，通過后就會(huì)給予認(rèn)證。Intel推出這個(gè)標(biāo)準(zhǔn)，其主要用意是針對(duì)高效能市場(chǎng)，玩家使用具備了XMP的內(nèi)存，就能夠直接提升工作平臺(tái)的效能。
內(nèi)存時(shí)序和頻率的一些問題?
這時(shí)候我們就需要舉個(gè)例子了，以宇瞻黑豹DDR4 2400的內(nèi)存和影馳名人堂HOF DDR4 2400內(nèi)存來對(duì)比。
延遲對(duì)比：
宇瞻黑豹DDR4 2400 16-16-16-36 CL16 延遲計(jì)算 (1/2400MHz)__16=6.67納秒
宇瞻黑豹DDR4 2133 15-15-15-35 CL15 延遲計(jì)算 (1/2400MHz)__15=6.25納秒
然后計(jì)算帶寬(按照雙通道計(jì)算，內(nèi)存帶寬128bit)：
2400 ： 2400MHz__128bit/8= 38400MB/S
2133 ： 2133MHz__128bit/8= 34128MB/S
內(nèi)存延遲意味著內(nèi)存的反應(yīng)速度。我們知道，CPU讀寫內(nèi)存的事情，首先是要告訴內(nèi)存，要讀寫某個(gè)地址的數(shù)據(jù)，意味著CPU要先發(fā)送某個(gè)地址代碼給內(nèi)存，內(nèi)存接收到后，編譯準(zhǔn)備好的這段時(shí)間為內(nèi)存延遲時(shí)間。
當(dāng)內(nèi)存準(zhǔn)備好了數(shù)據(jù)反饋給CPU，CPU開始讀寫內(nèi)存，這時(shí)候，內(nèi)存的帶寬是主要作用，一直到數(shù)據(jù)傳輸完成，然后重復(fù)上一步操作，這就是內(nèi)存和CPU的工作原理(簡(jiǎn)單通俗的講，實(shí)際比這個(gè)復(fù)雜多了)
所以我們可以分兩種情況，當(dāng)CPU讀寫內(nèi)存數(shù)據(jù)量很大，而且是連續(xù)的時(shí)候，內(nèi)存帶寬影響最大;當(dāng)CPU讀寫的內(nèi)存數(shù)據(jù)非常零碎，且零碎數(shù)據(jù)很多，這時(shí)候的低延遲的內(nèi)存速度回更快。
這也解釋了核顯對(duì)于雙通道高頻內(nèi)存的需求，圖形數(shù)據(jù)一般都是大量并且連續(xù)的，AMD的APU需要高頻雙內(nèi)存的原理，就是這么來的。
關(guān)于內(nèi)存超頻的一些問題
內(nèi)存超頻跟內(nèi)存顆粒的體制是肯定有最為直接的關(guān)系的。然后還有就是主板bios的設(shè)計(jì)、主板bios的優(yōu)化水平，CPU集成的內(nèi)存控制器等等原因，都是有影響的!
我們所看到某些支持XMP內(nèi)存和主板，在某種程度上，可以認(rèn)為是廠商預(yù)先保留的超頻選擇，直接在bios開啟即實(shí)現(xiàn)超頻。
當(dāng)然，我們普通的內(nèi)存一樣是可以超頻的，具體要看實(shí)際平臺(tái)和內(nèi)存等等來操作，基本原理也就是時(shí)序、頻率和電壓了，每個(gè)人的情況都不一樣，需要自己去調(diào)試才行。
好了，今天的每日一薦到此結(jié)束，臨時(shí)洋洋灑灑寫了1900個(gè)字，明天還不知道寫啥，希望大家給我一些建議和提示!
內(nèi)存知識(shí)詳解：接口類型
接口類型，是根據(jù)內(nèi)存條金手指上導(dǎo)電觸片的數(shù)量來劃分的。金手指上的導(dǎo)電觸片，也習(xí)慣稱為針腳數(shù)(Pin)。因?yàn)椴煌膬?nèi)存采用的接口類型各不相同，而每種接口類型所采用的針腳數(shù)各不相同。筆記本內(nèi)存一般采用 144Pin、200Pin 接口;臺(tái)式機(jī)內(nèi)存則基本使用 168Pin 和184Pin 接口。對(duì)應(yīng)于內(nèi)存所采用的不同針腳數(shù)，內(nèi)存插槽類型也各不相同。目前，臺(tái)式機(jī)系統(tǒng)主要有 SIMM、DIMM 和 RIMM 三種類型的內(nèi)存插槽，而筆記本內(nèi)存插槽則是在 SIMM 和 DIMM 插槽基礎(chǔ)上發(fā)展而來，基本原理并沒有變化，只是在針腳數(shù)上略有改變。
1、金手指
金手指(connecting finger)是內(nèi)存條上與內(nèi)存插槽之間的連接部件，所有的信號(hào)都是通過金手指進(jìn)行傳送的。金手指由眾多金黃色的導(dǎo)電觸片組成，因其表面鍍金而且導(dǎo)電觸片排列如手指狀，所以稱為“金手指”。金手指實(shí)際上是在覆銅板上通過特殊工藝再覆上一層金，因?yàn)榻鸬目寡趸詷O強(qiáng)，而且傳導(dǎo)性也很強(qiáng)。不過，因?yàn)榻鸢嘿F的價(jià)格，目前較多的內(nèi)存都采用鍍錫來代替。從上個(gè)世紀(jì) 90 年代開始，錫材料就開始普及，目前主板、內(nèi)存和顯卡等設(shè)備的“金手指”，幾乎都是采用的錫材料，只有部分高性能服務(wù)器/工作站的配件接觸點(diǎn)，才會(huì)繼續(xù)采用鍍金的做法，價(jià)格自然不菲。
內(nèi)存的金手指
內(nèi)存處理單元的所有數(shù)據(jù)流、電子流，正是通過金手指與內(nèi)存插槽的接觸與 PC 系統(tǒng)進(jìn)行交換，是內(nèi)存的輸出輸入端口。因此，其制作工藝，對(duì)于內(nèi)存連接顯得相當(dāng)重要。
2、內(nèi)存插槽
最初的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)，通過單獨(dú)的芯片安裝內(nèi)存，那時(shí)內(nèi)存芯片都采用 DIP(Dual ln-line Package，雙列直插式封裝)封裝，DIP 芯片是通過安裝在插在總線插槽里的內(nèi)存卡與系統(tǒng)連接，此時(shí)還沒有正式的內(nèi)存插槽。DIP 芯片有個(gè)最大的問題，就在于安裝起來很麻煩，而且隨著時(shí)間的增加，由于系統(tǒng)溫度的反復(fù)變化，它會(huì)逐漸從插槽里偏移出來。隨著每日頻繁的計(jì)算機(jī)啟動(dòng)和關(guān)閉，芯片不斷被加熱和冷卻，慢慢地芯片會(huì)偏離出插槽。最終導(dǎo)致接觸不好，產(chǎn)生內(nèi)存錯(cuò)誤。
內(nèi)存插槽
早期還有另外一種方法，是把內(nèi)存芯片直接焊接在主板或擴(kuò)展卡里，這樣有效避免了 DIP 芯片偏離的問題，但無法再對(duì)內(nèi)存容量進(jìn)行擴(kuò)展，而且如果一個(gè)芯片發(fā)生損壞，整個(gè)系統(tǒng)都將不能使用，只能重新焊接一個(gè)芯片或更換包含壞芯片的主板。此種方法付出的代價(jià)較大，也極為不便。
對(duì)于內(nèi)存存儲(chǔ)器，大多數(shù)現(xiàn)代的系統(tǒng)，都已采用單列直插內(nèi)存模塊(Single Inline Memory Module，SIMM)或雙列直插內(nèi)存模塊(Dual Inline Memory Module，DIMM)來替代單個(gè)內(nèi)存芯片。這些小板卡插入到主板或內(nèi)存卡上的特殊連接器里。
3、內(nèi)存模塊
1) SIMM
SIMM(Single Inline Memory Module，單列直插內(nèi)存模塊)。內(nèi)存條通過金手指與主板連接，內(nèi)存條正反兩面都帶有金手指。金手指可以在兩面提供不同的信號(hào)，也可以提供相同的信號(hào)。SIMM 就是一種兩側(cè)金手指都提供相同信號(hào)的內(nèi)存結(jié)構(gòu)，它多用于早期的 FPM 和 EDD DRAM，最初一次只能傳輸 8bif 數(shù)據(jù)，后來逐漸發(fā)展出 16bit、32bit 的 SIMM 模組。其中，8bit 和 16bit SIMM 使用 30pin 接口，32bit 的則使用72pin 接口。在內(nèi)存發(fā)展進(jìn)入 SDRAM 時(shí)代后，SIMM 逐漸被 DIMM 技術(shù)取代。
2) DIMM
DIMM(Dual Inline Memory Module，雙列直插內(nèi)存模塊)。與 SIMM 相當(dāng)類似，不同的只是 DIMM 的金手指兩端，不像 SIMM 那樣是互通的，它們各自獨(dú)立傳輸信號(hào)。因此，可以滿足更多數(shù)據(jù)信號(hào)的傳送需要。同樣采用 DIMM，SDRAM 的接口與 DDR 內(nèi)存的接口也略有不同，SDRAMDIMM 為 168Pin DIMM 結(jié)構(gòu)，金手指每面為 84Pin，金手指上有兩個(gè)卡口，用來避免插入插槽時(shí)，錯(cuò)誤將內(nèi)存反向插入而導(dǎo)致燒毀;
DDR DIMM則采用 184Pin DIMM 結(jié)構(gòu)，金手指每面有 92Pin，金手指上只有一個(gè)卡口?？跀?shù)量的不同，是二者最為明顯的區(qū)別。DDR2 DIMM 為240pinDIMM 結(jié)構(gòu)，金手指每面有 120Pin，與 DDR DIMM 一樣金手指一樣，也只有一個(gè)卡口，但是卡口的位置與 DDR DIMM 稍微有一些不同。因此，DDR 內(nèi)存是插不進(jìn) DDR2 DIMM 的，同理 DDR2 內(nèi)存也是插不進(jìn) DDR DIMM 的。因此，在一些同時(shí)具有 DDR DIMM 和 DDR2 DIMM 的主板上，不會(huì)出現(xiàn)將內(nèi)存插錯(cuò)插槽的問題。
不同針腳 DIMM 接口對(duì)比。為了滿足筆記本電腦對(duì)內(nèi)存尺寸的要求，SO-DIMM(Small Outline DIMM Module)也開發(fā)了出來，它的尺寸比標(biāo)準(zhǔn)的 DIMM 要小很多，而且引腳數(shù)也不相同。同樣 SO-DIMM 也根據(jù) SDRAM 和 DDR 內(nèi)存規(guī)格不同而不同。SDRAM 的 SO-DIMM 只有 144pin引腳，而DDR 的 SO-DIMM 擁有 200pin 引腳。此外，筆記本內(nèi)存還有 MicroDIMM 和 Mini Registered DIMM 兩種接口。MicroDIMM 接口的DDR 為 172pin，DDR2 為 214pin;Mini Registered DIMM 接口為 244pin，主要用于 DDR2 內(nèi)存。
3) RIMM
RIMM(Rambus Inline Memory Module)是 Rambus 公司生產(chǎn)的 RDRAM 內(nèi)存所采用的接口類型。RIMM 內(nèi)存與 DIMM 的外型尺寸差不多，金手指同樣也是雙面的。RIMM 有也 184 Pin 的針腳，在金手指的中間部分有兩個(gè)靠的很近的卡口。RIMM 非 ECC 版有 16 位數(shù)據(jù)寬度，ECC 版則都是 18 位寬。由于 RDRAM 內(nèi)存較高的價(jià)格，此類內(nèi)存在 DIY 市場(chǎng)很少見到，RIMM 接口也就難得一見了。