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主板bioss內(nèi)存設(shè)置方法

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主板bioss內(nèi)存設(shè)置方法

  你們知道怎么設(shè)置主板的BIOS內(nèi)存嗎?下面是學(xué)習(xí)啦小編帶來主板bioss內(nèi)存設(shè)置方法的內(nèi)容,歡迎閱讀!

  主板bioss內(nèi)存設(shè)置的方法:

  只要你的主板能夠支持通過BIOS調(diào)節(jié)內(nèi)存的頻率就可以這樣使用,否則新買的內(nèi)存就會(huì)被降頻。

  通常新買的內(nèi)存規(guī)格參數(shù)都會(huì)比原來的老內(nèi)存高一些,例如老內(nèi)存規(guī)格為宇瞻DDR3 1333 2GB,延遲時(shí)序CL=9,而新買的內(nèi)存為雜牌DDR3 1600 2GB,CL=7。在目前的主流主板BIOS中都有針對(duì)內(nèi)存的超頻設(shè)置選項(xiàng),我們可以利用它們來對(duì)內(nèi)存參數(shù)進(jìn)行設(shè)置,從而能讓它們和平相處,協(xié)同工作(如圖1)。

  開機(jī)后按下DEL鍵進(jìn)入主板BIOS的“OverDrive”界面,本例使用的是昂達(dá)A75T魔固主板,使用其他品牌型號(hào)主板的用戶需要自己找到相應(yīng)的界面??梢钥吹紹IOS自動(dòng)識(shí)別了內(nèi)存,將“Memory boot Mode”選為“Easy Memory”,“Memory Frequency”內(nèi)存頻率選項(xiàng)和“Memory Performance Mode”內(nèi)存高級(jí)模式選項(xiàng)都被設(shè)為“Auto”自動(dòng)。一般來說,如果和原有的1333MHz內(nèi)存一起使用的時(shí)候,1600MHz的內(nèi)存將被默認(rèn)降頻到1333MHz的主頻來運(yùn)行,不會(huì)對(duì)硬件造成任何影響,但是在高級(jí)參數(shù)中,一些雜牌內(nèi)存在混用時(shí)時(shí)序規(guī)格會(huì)出現(xiàn)問題,因此需要將它們?cè)O(shè)置為和老內(nèi)存相同的數(shù)值。

  取消“Memory Frequency”和“Memory Performance Mode”選項(xiàng)的“Auto”的設(shè)置,將前者設(shè)為“1333MHz” (如圖2),而這時(shí)在“Memory Performance Mode”下的“CAS Latency”、“RAS/CAS Delay”、“Row Precharge Time”、“Min Active RAS”變?yōu)榭烧{(diào),將它們?cè)O(shè)為9-9-9-30。然后保存重新開機(jī),即可正常進(jìn)入系統(tǒng)了。雖然并沒有發(fā)揮出新內(nèi)存的原有性能,但至少可以和老內(nèi)存的參數(shù)匹配了,混用變得更為穩(wěn)定。

  小提示:

  有的時(shí)候在兩條內(nèi)存混插后,開機(jī)會(huì)出現(xiàn)點(diǎn)不亮的情況,這樣就進(jìn)不了BIOS進(jìn)行設(shè)置了。這個(gè)時(shí)候只有短接CMOS電池清除BIOS信息。在一些主板上會(huì)有一些貼心的設(shè)計(jì),如本例這款主板上有一個(gè)Memory OK按鍵(如圖3),按下它后,就可以將內(nèi)存的頻率及參數(shù)下調(diào)到能正常開機(jī)的水平,接著繼續(xù)進(jìn)入BIOS再對(duì)它進(jìn)行設(shè)置。

  其實(shí)內(nèi)存的所有規(guī)格參數(shù)都是記錄在SPD芯片,在開機(jī)電腦會(huì)根據(jù)其中的參數(shù)運(yùn)行內(nèi)存。對(duì)于一些在BIOS中沒有提供內(nèi)存參數(shù)調(diào)節(jié)選項(xiàng)的老主板,那么我們就只能用軟件來修改參數(shù),也就是把參數(shù)寫入到SPD芯片中去,覆蓋掉原有的參數(shù)。

  在這里使用SPD tool軟件,其修改內(nèi)存的參數(shù)比較多,但風(fēng)險(xiǎn)比較大,需要事先做好備份工作。首先只將新內(nèi)存插在電腦上,開機(jī)打開SPD tool,點(diǎn)擊菜單欄“File”→“Read”→“Module 0:Installed” (如圖4),讀取該內(nèi)存的SPD信息。當(dāng)讀取完后點(diǎn)擊“File”→“Save”,將它保存到電腦硬盤中,注意備份的文件名。

  接著開始手動(dòng)修改界面下方的各個(gè)選項(xiàng),其中SDRAM Cycle time at Maximum Supported CAS Latency(內(nèi)存支持的最大CAS潛伏周期),這里的值是1.25ns(800MHz),改為1.50ns(666MHz)。接下來改Minimum Clock Cycle at CLX-1(最小CAS潛伏周期1)和Minimum Clock Cycle at CLX-2(最小CAS潛伏周期2),把1.50ns(666MHz)和1.67ns(592MHz)分別改為1.67ns(592MHz)和1.93ns(518MHz)。向下找到Minimum Row Precharge Time(tRP)和Minimum RAS to CAS delay(tRCD)都改為30ns。

  如果感覺這樣的設(shè)置比較麻煩,那么可以將老內(nèi)存的SPD參數(shù)讀出來,將其直接寫入到新內(nèi)存中(如圖5)。點(diǎn)擊菜單欄“File”→“Write”→“Module 0:Installed”,在出現(xiàn)提示時(shí)點(diǎn)“是”,在寫入成功后重啟電腦。

  當(dāng)然這還不能保證內(nèi)存刷新完全成功了,還需要使用MemTest軟件進(jìn)行測(cè)試,它的測(cè)試原理就是不停地對(duì)內(nèi)存進(jìn)行讀寫,從而發(fā)現(xiàn)內(nèi)存中存在錯(cuò)誤的區(qū)域。與SPDtool功能類似的軟件還有Thaiphoon Burner等,大家可以舉一反三。在修改時(shí)建議電腦上只插一條內(nèi)存,這樣不容易出現(xiàn)誤操作。

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