固態(tài)硬盤(pán)打游戲會(huì)提升速度嗎
固態(tài)硬盤(pán)打游戲會(huì)提升速度嗎
多磁頭技術(shù)：通過(guò)在同一碟片上增加多個(gè)磁頭同時(shí)的讀或?qū)憗?lái)為硬盤(pán)提速，或同時(shí)在多碟片同時(shí)利用磁頭來(lái)讀或?qū)憗?lái)為磁盤(pán)提速，多用于服務(wù)器和數(shù)據(jù)庫(kù)中心。下面是學(xué)習(xí)啦小編帶來(lái)的關(guān)于固態(tài)硬盤(pán)打游戲會(huì)提升速度嗎的內(nèi)容，歡迎閱讀!
固態(tài)硬盤(pán)打游戲會(huì)提升速度嗎?
如果只是安裝系統(tǒng)的話，游戲不是在固態(tài)是時(shí)候，最多打開(kāi)游戲快一點(diǎn)，玩起來(lái)和以前差不多，因?yàn)樽x寫(xiě)還是不在固態(tài)，如果安裝系統(tǒng)再其他盤(pán)，游戲在固態(tài)的話，玩起來(lái)會(huì)快一點(diǎn)，游戲和顯卡關(guān)系大一點(diǎn)。
固態(tài)硬盤(pán)與普通硬盤(pán)比較，擁有以下優(yōu)點(diǎn)：
1. 啟動(dòng)快，沒(méi)有電機(jī)加速旋轉(zhuǎn)的過(guò)程。
2. 不用磁頭，快速隨機(jī)讀取，讀延遲極小。根據(jù)相關(guān)測(cè)試：兩臺(tái)電腦在同樣配置的電腦下，搭載固態(tài)硬盤(pán)的筆記本從開(kāi)機(jī)到出現(xiàn)桌面一共只用了18秒，而搭載傳統(tǒng)硬盤(pán)的筆記本總共用了31秒，兩者幾乎有將近一半的差距。
3. 相對(duì)固定的讀取時(shí)間。由于尋址時(shí)間與數(shù)據(jù)存儲(chǔ)位置無(wú)關(guān)，因此磁盤(pán)碎片不會(huì)影響讀取時(shí)間。
4. 基于DRAM的固態(tài)硬盤(pán)寫(xiě)入速度極快。
5. 無(wú)噪音。因?yàn)闆](méi)有機(jī)械馬達(dá)和風(fēng)扇，工作時(shí)噪音值為0分貝。某些高端或大容量產(chǎn)品裝有風(fēng)扇，因此仍會(huì)產(chǎn)生噪音。
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薄膜感應(yīng)磁頭
在1990年至1995年間，硬盤(pán)采用TFI讀/寫(xiě)技術(shù)。TFI磁頭實(shí)際上是繞線的磁芯。盤(pán)片在繞線的磁芯下通過(guò)時(shí)會(huì)在磁頭上產(chǎn)生感應(yīng)電壓。TFI讀磁頭之所以會(huì)達(dá)到它的能力極限，是因?yàn)樵谔岣叽澎`敏度的同時(shí)，它的寫(xiě)能力卻減弱了。
AMR磁頭
AMR(Anisotropic Magneto Resistive)90年代中期，希捷公司推出了使用AMR磁頭的硬盤(pán)。AMR磁頭使用TFI磁頭來(lái)完成寫(xiě)操作，但用薄條的磁性材料來(lái)作為讀元件。在有磁場(chǎng)存在的情況下，薄條的電阻會(huì)隨磁場(chǎng)而變化，進(jìn)而產(chǎn)生很強(qiáng)的信號(hào)。硬盤(pán)譯解由于磁場(chǎng)極性變化而引起的薄條電阻變化，提高了讀靈敏度。AMR磁頭進(jìn)一步提高了面密度，而且減少了元器件數(shù)量。由于AMR薄膜的電阻變化量有一定的限度，AMR技術(shù)最大可以支持3.3GB/平方英寸的記錄密度，所以AMR磁頭的靈敏度也存在極限。這導(dǎo)致了GMR磁頭的研發(fā)。GMR(Giant
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