如何挑選內(nèi)存條
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挑選內(nèi)存條方法:
對(duì)于多數(shù)的筆記本電腦都并沒有配備單獨(dú)的顯存,而是采用內(nèi)存共享的形式,內(nèi)存要同時(shí)負(fù)擔(dān)內(nèi)存和顯存的存儲(chǔ)作用,因此內(nèi)存對(duì)于筆記本電腦性能的影響很大。
服務(wù)器是企業(yè)信息系統(tǒng)的核心,因此對(duì)內(nèi)存的可靠性非常敏感。服務(wù)器上運(yùn)行著企業(yè)的關(guān)鍵業(yè)務(wù),內(nèi)存錯(cuò)誤可能造成服務(wù)器錯(cuò)誤并使數(shù)據(jù)永久丟失。因此服務(wù)器內(nèi)存在可靠性方面的要求很高,所以服務(wù)器內(nèi)存大多都帶有Buffer(緩存器),Register(寄存器),ECC(錯(cuò)誤糾正代碼),以保證把錯(cuò)誤發(fā)生可能性降到最低。服務(wù)器內(nèi)存具有普通PC內(nèi)存所不具備的高性能、高兼容性和高可靠性。
內(nèi)存主頻和CPU主頻一樣,習(xí)慣上被用來表示內(nèi)存的速度,它代表著該內(nèi)存所能達(dá)到的最高工作頻率。內(nèi)存主頻是以MHz(兆赫)為單位來計(jì)量的。內(nèi)存主頻越高在一定程度上代表著內(nèi)存所能達(dá)到的速度越快。內(nèi)存主頻決定著該內(nèi)存最高能在什么樣的頻率正常工作。目前較為主流的內(nèi)存頻率室333MHz和400MHz的DDR內(nèi)存,以及533MHz和667MHz的DDR2內(nèi)存。
大家知道,計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的時(shí)鐘速度是以頻率來衡量的。晶體振蕩器控制著時(shí)鐘速度,在石英晶片上加上電壓,其就以正弦波的形式震動(dòng)起來,這一震動(dòng)可以通過晶片的形變和大小記錄下來。晶體的震動(dòng)以正弦調(diào)和變化的電流的形式表現(xiàn)出來,這一變化的電流就是時(shí)鐘信號(hào)。而內(nèi)存本身并不具備晶體振蕩器,因此內(nèi)存工作時(shí)的時(shí)鐘信號(hào)是由主板芯片組的北橋或直接由主板的時(shí)鐘發(fā)生器提供的,也就是說內(nèi)存無法決定自身的工作頻率,其實(shí)際工作頻率是由主板來決定的。
DDR內(nèi)存和DDR2內(nèi)存的頻率可以用工作頻率和等效頻率兩種方式表示,工作頻率是內(nèi)存顆粒實(shí)際的工作頻率,但是由于DDR內(nèi)存可以在脈沖的上升和下降沿都傳輸數(shù)據(jù),因此傳輸數(shù)據(jù)的等效頻率是工作頻率的兩倍;而DDR2內(nèi)存每個(gè)時(shí)鐘能夠以四倍于工作頻率的速度讀/寫數(shù)據(jù),因此傳輸數(shù)據(jù)的等效頻率是工作頻率的四倍。例如DDR 200/266/333/400的工作頻率分別是100/133/166/200MHz,而等效頻率分別是200/266/333/400MHz;DDR2 400/533/667/800的工作頻率分別是100/133/166/200MHz,而等效頻率分別是400/533/667/800MHz。
內(nèi)存異步工作模式包含多種意義,在廣義上凡是內(nèi)存工作頻率與CPU的外頻不一致時(shí)都可以稱為內(nèi)存異步工作模式。首先,最早的內(nèi)存異步工作模式出現(xiàn)在早期的主板芯片組中,可以使內(nèi)存工作在比CPU外頻高33MHz或者低33MHz的模式下(注意只是簡(jiǎn)單相差33MHz),從而可以提高系統(tǒng)內(nèi)存性能或者使老內(nèi)存繼續(xù)發(fā)揮余熱。其次,在正常的工作模式(CPU不超頻)下,目前不少主板芯片組也支持內(nèi)存異步工作模式,例如Intel 910GL芯片組,僅僅只支持533MHz FSB即133MHz的CPU外頻,但卻可以搭配工作頻率為133MHz的DDR 266、工作頻率為166MHz的DDR 333和工作頻率為200MHz的DDR 400正常工作(注意此時(shí)其CPU外頻133MHz與DDR 400的工作頻率200MHz已經(jīng)相差66MHz了),只不過搭配不同的內(nèi)存其性能有差異罷了。
再次,在CPU超頻的情況下,為了不使內(nèi)存拖CPU超頻能力的后腿,此時(shí)可以調(diào)低內(nèi)存的工作頻率以便于超頻,例如AMD的Socket 939接口的Opteron 144非常容易超頻,不少產(chǎn)品的外頻都可以輕松超上300MHz,而此如果在內(nèi)存同步的工作模式下,此時(shí)內(nèi)存的等效頻率將高達(dá)DDR 600,這顯然是不可能的,為了順利超上300MHz外頻,我們可以在超頻前在主板BIOS中把內(nèi)存設(shè)置為DDR 333或DDR 266,在超上300MHz外頻之后,前者也不過才DDR 500(某些極品內(nèi)存可以達(dá)到),而后者更是只有DDR 400(完全是正常的標(biāo)準(zhǔn)頻率),由此可見,正確設(shè)置內(nèi)存異步模式有助于超頻成功。
目前的主板芯片組幾乎都支持內(nèi)存異步,英特爾公司從810系列到目前較新的875系列都支持,而威盛公司則從693芯片組以后全部都提供了此功能。
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