iphone6內(nèi)存分別有多大
iphone6內(nèi)存分別有多大
蘋果公司(Apple Inc. )是美國(guó)的一家高科技公司。由史蒂夫·喬布斯、斯蒂夫·沃茲尼亞克和羅·韋恩(Ron Wayne)等三人于1976年4月1日創(chuàng)立，下面是學(xué)習(xí)啦小編帶來(lái)的關(guān)于iphone6內(nèi)存分別有多大的內(nèi)容，歡迎閱讀!
iphone6內(nèi)存分別有多大：
iPhone6的運(yùn)存內(nèi)存是1GB RAM，存儲(chǔ)容量方面則提供16GB/64GB/128GB ROM。
硬件方面，iPhone6 Plus采用蘋果A8+M8運(yùn)動(dòng)協(xié)處理器，主頻為1.4GHz。iPhone6 Plus背后天線系統(tǒng)覆蓋到機(jī)身中框，弧面的金屬中框不僅加強(qiáng)機(jī)身整體圓潤(rùn)感，平衡機(jī)身設(shè)計(jì)美學(xué)的同時(shí)，也減少手機(jī)不慎跌落時(shí)對(duì)機(jī)身的緩沖力。
iPhone6 Plus采用了一顆800萬(wàn)像素的攝像頭，每個(gè)像素大小1.5微米，最大光圈f/2.2，并采用全新傳感器，保留了雙色溫閃光燈之外還內(nèi)置了全新的對(duì)焦技術(shù)。iPhone6 Plus加入了光學(xué)防抖功能，使防抖能力以及弱光拍攝表現(xiàn)得到很大提升。
系統(tǒng)方面，iPhone6 Plus搭載iOS 8系統(tǒng)。雖然的界面風(fēng)格上與iOS7區(qū)別不大，但iOS8系統(tǒng)更加開(kāi)放與人性化。在鎖屏狀態(tài)下送短消息時(shí)，支持在鎖屏狀態(tài)下直接回復(fù)短信。另外在多任務(wù)欄，也可直接顯示最近的聯(lián)系人名片，并支持自定義編輯?？梢灾苯咏o他們發(fā)郵件、打電話等，大大增強(qiáng)了iOS的效率。
iPhone手機(jī)的所有配件都是一體安裝的，無(wú)法改裝?？梢酝ㄟ^(guò)外接iPhone專用優(yōu)盤實(shí)現(xiàn)擴(kuò)容的效果，比如“覓果”這款產(chǎn)品。
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iPhone 6是蘋果公司(Apple)在2014年9月9日推出的一款手機(jī)，已于2014年9月19日正式上市。
iPhone 6采用4.7英寸屏幕，分辨率為1334*750像素，內(nèi)置64位構(gòu)架的蘋果A8處理器，性能提升非常明顯;同時(shí)還搭配全新的M8協(xié)處理器，專為健康應(yīng)用所設(shè)計(jì);采用后置800萬(wàn)像素鏡頭，前置120萬(wàn)像素 鞠昀攝影FaceTime HD 高清攝像頭;并且加入Touch ID支持指紋識(shí)別，首次新增NFC功能;也是一款三網(wǎng)通手機(jī)，4G LTE連接速度可達(dá)150Mbps，支持多達(dá)20個(gè)LTE頻段。
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DDR31.突發(fā)長(zhǎng)度(Burst Length，BL)
由于DDR3的預(yù)取為8bit，所以突發(fā)傳輸周期(Burst Length，BL)也固定為8，而對(duì)于DDR2和早期的DDR架構(gòu)系統(tǒng)，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個(gè)4bit Burst Chop(突發(fā)突變)模式，即由一個(gè)BL=4的讀取操作加上一個(gè)BL=4的寫入操作來(lái)合成一個(gè)BL=8的數(shù)據(jù)突發(fā)傳輸，屆時(shí)可通過(guò)A12地址線來(lái)控制這一突發(fā)模式。而且需要指出的是，任何突發(fā)中斷操作都將在DDR3內(nèi)存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更靈活的突發(fā)傳輸控制(如4bit順序突發(fā))。
2.尋址時(shí)序(Timing)
就像DDR2從DDR轉(zhuǎn)變而來(lái)后延遲周期數(shù)增加一樣，DDR3的CL周期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL范圍一般在2～5之間，而DDR3則在5～11之間，且附加延遲(AL)的設(shè)計(jì)也有所變化。DDR2時(shí)AL的范圍是0～4，而DDR3時(shí)AL有三種選項(xiàng)，分別是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3還新增加了一個(gè)時(shí)序參數(shù)——寫入延遲(CWD)，這一參數(shù)將根據(jù)具體的工作頻率而定。
3.DDR3新增的重置(Reset)功能
重置是DDR3新增的一項(xiàng)重要功能，并為此專門準(zhǔn)備了一個(gè)引腳。DRAM業(yè)界很早以前就要求增加這一功能，如今終于在DDR3上實(shí)現(xiàn)了。這一引腳將使DDR3的初始化處理變得簡(jiǎn)單。當(dāng)Reset命令有效時(shí)，DDR3內(nèi)存將停止所有操作，并切換至最少量活動(dòng)狀態(tài)，以節(jié)約電力。
在Reset期間，DDR3內(nèi)存將關(guān)閉內(nèi)在的大部分功能，所有數(shù)據(jù)接收與發(fā)送器都將關(guān)閉，所有內(nèi)部的程序裝置將復(fù)位，DLL(延遲鎖相環(huán)路)與時(shí)鐘電路將停止工作，而且不理睬數(shù)據(jù)總線上的任何動(dòng)靜。這樣一來(lái)，將使DDR3達(dá)到最節(jié)省電力的目的。
4.DDR3新增ZQ校準(zhǔn)功能
ZQ也是一個(gè)新增的腳，在這個(gè)引腳上接有一個(gè)240歐姆的低公差參考電阻。這個(gè)引腳通過(guò)一個(gè)命令集，通過(guò)片上校準(zhǔn)引擎(On-Die Calibration Engine，ODCE)來(lái)自動(dòng)校驗(yàn)數(shù)據(jù)輸出驅(qū)動(dòng)器導(dǎo)通電阻與ODT的終結(jié)電阻值。當(dāng)系統(tǒng)發(fā)出這一指令后，將用相應(yīng)的時(shí)鐘周期(在加電與初始化之后用512個(gè)時(shí)鐘周期，在退出自刷新操作后用256個(gè)時(shí)鐘周期、在其他情況下用64個(gè)時(shí)鐘周期)對(duì)導(dǎo)通電阻和ODT電阻進(jìn)行重新校準(zhǔn)。
5.參考電壓分成兩個(gè)
在DDR3系統(tǒng)中，對(duì)于內(nèi)存系統(tǒng)工作非常重要的參考電壓信號(hào)VREF將分為兩個(gè)信號(hào)，即為命令與地址信號(hào)服務(wù)的VREFCA和為數(shù)據(jù)總線服務(wù)的VREFDQ，這將有效地提高系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線的信噪等級(jí)。
6.點(diǎn)對(duì)點(diǎn)連接(Point-to-Point，P2P)
這是為了提高系統(tǒng)性能而進(jìn)行的重要改動(dòng)，也是DDR3與DDR2的一個(gè)關(guān)鍵區(qū)別。在DDR3系統(tǒng)中，一個(gè)內(nèi)存控制器只與一個(gè)內(nèi)存通道打交道，而且這個(gè)內(nèi)存通道只能有一個(gè)插槽，因此，內(nèi)存控制器與DDR3內(nèi)存模組之間是點(diǎn)對(duì)點(diǎn)(P2P)的關(guān)系(單物理Bank的模組)，或者是點(diǎn)對(duì)雙點(diǎn)(Point-to-two-Point，P22P)的關(guān)系(雙物理Bank的模組)，從而大大地減輕了地址/命令/控制與數(shù)據(jù)總線的負(fù)載。而在內(nèi)存模組方面，與DDR2的類別相類似，也有標(biāo)準(zhǔn)DIMM(臺(tái)式PC)、SO-DIMM/Micro-DIMM(筆記本電腦)、FB-DIMM2(服務(wù)器)之分，其中第二代FB-DIMM將采用規(guī)格更高的AMB2(高級(jí)內(nèi)存緩沖器)。
面向64位構(gòu)架的DDR3顯然在頻率和速度上擁有更多的優(yōu)勢(shì)，此外，由于DDR3所采用的根據(jù)溫度自動(dòng)自刷新、局部自刷新等其它一些功能，在功耗方面DDR3也要出色得多，因此，它可能首先受到移動(dòng)設(shè)備的歡迎，就像最先迎接DDR2內(nèi)存的不是臺(tái)式機(jī)而是服務(wù)器一樣。在CPU外頻提升最迅速的PC臺(tái)式機(jī)領(lǐng)域，DDR3未來(lái)也是一片光明。目前Intel預(yù)計(jì)在明年第二季所推出的新芯片-熊湖(Bear Lake)，其將支持DDR3規(guī)格，而AMD也預(yù)計(jì)同時(shí)在K9平臺(tái)上支持DDR2及DDR3兩種規(guī)格。
內(nèi)存異步工作模式包含多種意義，在廣義上凡是內(nèi)存工作頻率與CPU的外頻不一致時(shí)都可以稱為內(nèi)存異步工作模式。首先，最早的內(nèi)存異步工作模式出現(xiàn)在早期的主板芯片組中，可以使內(nèi)存工作在比CPU外頻高33MHz或者低33MHz的模式下(注意只是簡(jiǎn)單相差33MHz)，從而可以提高系統(tǒng)內(nèi)存性能或者使老內(nèi)存繼續(xù)發(fā)揮余熱。其次，在正常的工作模式(CPU不超頻)下，目前不少主板芯片組也支持內(nèi)存異步工作模式，例如Intel 910GL芯片組，僅僅只支持533MHz FSB即133MHz的CPU外頻，但卻可以搭配工作頻率為133MHz的DDR 266、工作頻率為166MHz的DDR 333和工作頻率為200MHz的DDR 400正常工作(注意此時(shí)其CPU外頻133MHz與DDR 400的工作頻率200MHz已經(jīng)相差66MHz了)，只不過(guò)搭配不同的內(nèi)存其性能有差異罷了。
再次，在CPU超頻的情況下，為了不使內(nèi)存拖CPU超頻能力的后腿，此時(shí)可以調(diào)低內(nèi)存的工作頻率以便于超頻，例如AMD的Socket 939接口的Opteron 144非常容易超頻，不少產(chǎn)品的外頻都可以輕松超上300MHz，而此如果在內(nèi)存同步的工作模式下，此時(shí)內(nèi)存的等效頻率將高達(dá)DDR 600，這顯然是不可能的，為了順利超上300MHz外頻，我們可以在超頻前在主板BIOS中把內(nèi)存設(shè)置為DDR 333或DDR 266，在超上300MHz外頻之后，前者也不過(guò)才DDR 500(某些極品內(nèi)存可以達(dá)到)，而后者更是只有DDR 400(完全是正常的標(biāo)準(zhǔn)頻率)，由此可見(jiàn)，正確設(shè)置內(nèi)存異步模式有助于超頻三代內(nèi)存的區(qū)別成功。
目前的主板芯片組幾乎都支持內(nèi)存異步，英特爾公司從810系列到目前較新的875系列都支持，而威盛公司則從693芯片組以后全部都提供了此功能。
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7.iphone6 plus 內(nèi)存可以升級(jí)嗎