看內(nèi)存參數(shù)的用處在哪里
內(nèi)存是電腦的商大件之一,做工的好壞可以直接影響到電腦的系統(tǒng),那怎么去識(shí)別內(nèi)存的參數(shù)呢?以下就是學(xué)習(xí)啦小編把你所求知識(shí)技巧手把手教會(huì)!歡迎觀看!
看內(nèi)存參數(shù)的用處
由于內(nèi)存在標(biāo)簽上并沒(méi)有具體統(tǒng)一的格式,所以在識(shí)別時(shí)候有些麻煩。一般的標(biāo)簽都必須有的信息為容量(2048MB)、頻率(1066MHz)、延遲(5-6-6-18)、電壓(2.10V)等信息,這些也都是最基本的參數(shù)。
內(nèi)存延遲
內(nèi)存延遲表示系統(tǒng)進(jìn)入數(shù)據(jù)存取操作就緒狀態(tài)前等待內(nèi)存相應(yīng)的時(shí)間,它通常用4個(gè)連著的阿拉伯?dāng)?shù)字來(lái)表示,例如“5-6-6-18”。其實(shí)并非延遲越小內(nèi)存性能越高,因?yàn)镃L-TRP-TRCD-TRAS這四個(gè)數(shù)值是配合使用的,相互影響的程度非常大,并且也不是數(shù)值最大時(shí)其性能也最差,那么更加合理的配比參數(shù)很重要。
上圖我們看到這款海盜船內(nèi)存頻率為1066MHz,延遲為“5-6-6-18”,它們代表的意義從左往右分別是:
CAS Latency,即列地址選通脈沖時(shí)間延遲,我們常說(shuō)的CL值就是它。指的是內(nèi)存存取數(shù)據(jù)所需的延遲時(shí)間,簡(jiǎn)單的說(shuō),就是內(nèi)存接到CPU的指令后的反應(yīng)速度。
RAS-to-CAS Delay(tRCD),對(duì)應(yīng)于CAS,RAS是指Row Address Strobe,行地址選通脈沖。CAS和RAS共同決定了內(nèi)存尋址。RAS(數(shù)據(jù)請(qǐng)求后首先被激發(fā))和CAS(RAS完成后被激發(fā))并不是連續(xù)的,存在著延遲。即內(nèi)存行地址傳輸?shù)搅械刂返难舆t時(shí)間。
Row-precharge Delay(tRP),內(nèi)存行地址選通脈沖預(yù)充電時(shí)間,即內(nèi)存從結(jié)束一個(gè)行訪問(wèn)結(jié)束到重新開(kāi)始的間隔時(shí)間。
Row-active Delay(tRAS),內(nèi)存行地址選通延遲。是指從收到一個(gè)請(qǐng)求后到初始化RAS(行地址選通脈沖)真正開(kāi)始接受數(shù)據(jù)的間隔時(shí)間。
對(duì)于市面上一些拿延遲低作為賣(mài)點(diǎn)的內(nèi)存,價(jià)格基本要比同樣頻率的內(nèi)存高出許多,對(duì)于不喜愛(ài)超頻的用戶而言,就不知道購(gòu)買(mǎi)哪種比較合適。所以筆者就做了一個(gè)測(cè)試,將內(nèi)存頻率固定,分別在CL5、CL6、CL7三種模式下測(cè)試內(nèi)存性能,請(qǐng)看下圖。
SiSoftware帶寬/PCMark測(cè)試對(duì)比
從測(cè)試中可以看出,內(nèi)存延遲的變動(dòng)無(wú)論對(duì)系統(tǒng)的性能變化、系統(tǒng)處理能力均表現(xiàn)不明顯,所以在充足的帶寬下內(nèi)存延遲的變化對(duì)PC的性能影響幾乎可以忽略不計(jì)。如今想要提升內(nèi)存性能最捷徑方法就是提升頻率。
全文總結(jié):內(nèi)存方面的選擇,筆者建議用戶需要慎重,畢竟現(xiàn)在內(nèi)存價(jià)格上漲較快,主流2GB/800內(nèi)存都已經(jīng)漲破200元,并且上漲趨勢(shì)不減;而DDR3方面相比這前也有大幅上漲。所以筆者建議學(xué)生用戶還是多關(guān)注DDR2方面,畢竟DDR3內(nèi)存性能提升并不明顯,可以將省下來(lái)的錢(qián)用到顯卡、CPU等方面。