電腦BIOS中如何設置內存條CL
電腦BIOS中如何設置內存條CL
在BIOS中如何設置內存條的CL呢?下面是學習啦小編為大家介紹BIOS中設置內存條CL的方法,歡迎大家閱讀。
BIOS中設置內存條CL的方法
FSB與內存頻率的關系
首先請大家看看FSB(Front Side Bus：前端總線)和內存比率與內存實際運行頻率的關系。 FSB/MEM比率 實際運行頻率 1/1 200MHz 1/2 100MHz 2/3 133MHz 3/4 150MHz 3/05 120MHz 5/6 166MHz 7/10 140MHz 9/10 180MHz
對于大多數玩家來說，F(xiàn)SB和內存同步，即1:1是使性能最佳的選擇。而其他的設置都是異步的。同步后，內存的實際運行頻率是FSBx2，所 以，DDR400的內存和200MHz的FSB正好同步。如果你的FSB為240MHz，則同步后，內存的實際運行頻率為240MHz x 2 = 480MHz。FSB與不同速度的DDR內存之間正確的設置關系
強烈建議采用1：1的FSB與內存同步的設置，這樣可以完全發(fā)揮內存帶寬的優(yōu)勢。內存時序設置
內存參數的設置正確與否，將極大地影響系統(tǒng)的整體性能。下面我們將針對內存關于時序設置參數逐一解釋，以求能讓大家在內存參數設置中能有清晰的思路，提高電腦系統(tǒng)的性能。
涉及到的參數分別為： CPC : Command Per Clock tCL : CAS Latency Control tRCD : RAS to CAS Delay tRAS : Min RAS Active Timing tRP : Row Precharge Timing tRC : Row Cycle Time tRFC : Row Refresh Cycle Time tRRD : Row to Row Delay(RAS to RAS delay) tWR : Write Recovery Time ……及其他參數的設置 CPC : Command Per Clock
可選的設置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。
Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻譯為：首命令延遲)，一般還被描述為DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR內存的尋址，先要進行P-Bank的選擇(通過DIMM上CS片選信號進行)，然后才是L-Bank/行激活與列地址的選 擇。這個參數的含義就是指在P-Bank選擇完之后多少時間可以發(fā)出具體的尋址的L-Bank/行激活命令，單位是時鐘周期。
顯然，CPC越短越好。但當隨著主板上內存模組的增多，控制芯片組的負載也隨之增加，過短的命令間隔可能會影響穩(wěn)定性。因此當你的內存插得很多而出現(xiàn)不太穩(wěn)定的時間，才需要將此參數調長。目前的大部分主板都會自動設置這個參數。
該參數的默認值為Disable(2T)，如果玩家的內存質量很好，則可以將其設置為Enable(1T)。tCL : CAS Latency Control(tCL)
可選的設置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。
一般我們在查閱內存的時序參數時，如“3-4-4-8”這一類的數字序列，上述數字序列分別對應的參數是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。這個3就是第1個參數，即CL參數。
CAS Latency Control(也被描述為tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“內存讀寫操作前列地址控制器的潛伏時間”。CAS控制從接受一個指令到執(zhí)行指令之間的時間。因為CAS主要控制十六進制的地址，或者說 是內存矩陣中的列地址，所以它是最為重要的參數，在穩(wěn)定的前提下應該盡可能設低。
內存是根據行和列尋址的，當請求觸發(fā)后，最初是tRAS(Activeto Precharge Delay)，預充電后，內存才真正開始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS(Row Address Strobe )開始進行需要數據的尋址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期結束，接著通過CAS訪問所需數據的精確十六進制地址。期間從CAS開始到CAS結束 就是CAS延遲。所以CAS是找到數據的最后一個步驟，也是內存參數中最重要的。
這個參數控制內存接收到一條數據讀取指令后要等待多少個時鐘周期才實際執(zhí)行該指令。同時該參數也決定了在一次內存突發(fā)傳送過程中完成第一部分傳 送所需要的時鐘周期數。這個參數越小，則內存的速度越快。必須注意部分內存不能運行在較低的延遲，可能會丟失數據，因此在提醒大家把CAS延遲設為2或 2.5的同時，如果不穩(wěn)定就只有進一步提高它了。而且提高延遲能使內存運行在更高的頻率，所以需要對內存超頻時，應該試著提高CAS延遲。
該參數對內存性能的影響最大，在保證系統(tǒng)穩(wěn)定性的前提下，CAS值越低，則會導致更快的內存讀寫操作。CL值為2為會獲得最佳的性能，而CL值 為3可以提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。注意，WinbondBH-5/6芯片可能無法設為3。tRCD : RAS to CAS Delay
可選的設置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。
該值就是“3-4-4-8”內存時序參數中的第2個參數，即第1個4。RAS to CAS Delay(也被描述為：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示"行尋址到列尋址延遲時間"，數值越小，性能越好。對內存進行讀、寫或刷新操作時，需要在這兩種脈沖信號之間插入延遲時鐘周期。在 JEDEC規(guī)范中，它是排在第二的參數，降低此延時，可以提高系統(tǒng)性能。建議該值設置為3或2，但如果該值設置太低，同樣會導致系統(tǒng)不穩(wěn)定。該值為4時， 系統(tǒng)將處于最穩(wěn)定的狀態(tài)，而該值為5，則太保守。
如果你的內存的超頻性能不佳，則可將此值設為內存的默認值或嘗試提高tRCD值。
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