內(nèi)存顆粒編號識別方法
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內(nèi)存顆粒編號怎么識別
一 現(xiàn)代顆粒
具體含義解釋：
HY5DV641622AT-36
HY XX X XX XX XX X X X X X XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1、HY代表是現(xiàn)代的產(chǎn)品
2、內(nèi)存芯片類型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM);
3、工作電壓：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V
4芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref;64=64Mbits、8K Ref;65=64Mbits、4K Ref;128=128Mbits、8K Ref;129=128Mbits、4K Ref;256=256Mbits、16K Ref;257=256Mbits、8K Ref
5、代表芯片輸出的數(shù)據(jù)位寬：40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位
6、BANK數(shù)量：1、2、3分別代表2個、4個和8個Bank，是2的冪次關(guān)系
7、I/O界面：1 :SSTL_3、 2 :SSTL_2
8、芯片內(nèi)核版本：可以為空白或A、B、C、D等字母，越往后代表內(nèi)核越新
9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片
10、內(nèi)存芯片封裝形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ
11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L :DDR200、H :DDR266B、 K :DDR266A
二 三星顆粒
例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0
主要含義：
第1位——芯片功能K，代表是內(nèi)存芯片。
第2位——芯片類型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更進一步的類型說明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的內(nèi)存采用不同的刷新速率，也會使用不同的編號。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量;28、27、2A代表128Mbit的容量;56、55、57、5A代表256Mbit的容量;51代表512Mbit的容量。
第6、7位——數(shù)據(jù)線引腳個數(shù)，08代表8位數(shù)據(jù);16代表16位數(shù)據(jù);32代表32位數(shù)據(jù);64代表64位數(shù)據(jù)。
第11位——連線“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60為6ns;70為 7ns;7B為7.5ns (CL=3);7C為7.5ns (CL=2) ;80為 8ns;10 為10ns (66MHz)。
知道了內(nèi)存顆粒編碼主要數(shù)位的含義，拿到一個內(nèi)存條后就非常容易計算出它的容量。例如一條三星DDR內(nèi)存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0顆粒封裝。顆粒編號第4、5位“28”代表該顆粒是128Mbits，第6、7位“08”代表該顆粒是8位數(shù)據(jù)帶寬，這樣我們可以計算出該內(nèi)存條的容量是128Mbits(兆數(shù)位) × 16片/8bits=256MB(兆字節(jié))。
注：“bit”為“數(shù)位”，“B”即字節(jié)“byte”，一個字節(jié)為8位則計算時除以8。關(guān)于內(nèi)存容量的計算，文中所舉的例子中有兩種情況：一種是非ECC內(nèi)存，每8片8位數(shù)據(jù)寬度的顆粒就可以組成一條內(nèi)存;另一種ECC內(nèi)存，在每64位數(shù)據(jù)之后，還增加了8位的ECC校驗碼。通過校驗碼，可以檢測出內(nèi)存數(shù)據(jù)中的兩位錯誤，糾正一位錯誤。所以在實際計算容量的過程中，不計算校驗位，具有ECC功能的18片顆粒的內(nèi)存條實際容量按16乘。在購買時也可以據(jù)此判定18片或者9片內(nèi)存顆粒貼片的內(nèi)存條是ECC內(nèi)存。
三 創(chuàng)勝顆粒
具體含義解釋：
Kingmax內(nèi)存都是采用TinyBGA封裝(Tiny ball grid array)。并且該封裝模式是專利產(chǎn)品，所以我們看到采用Kingmax顆粒制作的內(nèi)存條全是該廠自己生產(chǎn)。Kingmax內(nèi)存顆粒有兩種容量：64Mbits和128Mbits。在此可以將每種容量系列的內(nèi)存顆粒型號列表出來。
容量備注：
KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空間 × 4位數(shù)據(jù)寬度;
KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空間 × 8位數(shù)據(jù)寬度;
KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空間 × 4位數(shù)據(jù)寬度;
KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空間 × 8位數(shù)據(jù)寬度;
KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空間 × 16位數(shù)據(jù)寬度。
Kingmax內(nèi)存的工作速率有四種狀態(tài)，是在型號后用短線符號隔開標識內(nèi)存的工作速率：
-7A——PC133 /CL=2;
-7——PC133 /CL=3;
-8A——PC100/ CL=2;
-8——PC100 /CL=3。
例如一條Kingmax內(nèi)存條，采用16片KSV884T4A0A-7A 的內(nèi)存顆粒制造，其容量計算為： 64Mbits(兆數(shù)位)×16片/8=128MB(兆字節(jié))
四 Infineon顆粒
具體含義解釋：
Infineon是德國西門子的一個分公司，目前國內(nèi)市場上西門子的子公司Infineon生產(chǎn)的內(nèi)存顆粒只有兩種容量：容量為128Mbits的顆粒和容量為256Mbits的顆粒。編號中詳細列出了其內(nèi)存的容量、數(shù)據(jù)寬度。Infineon的內(nèi)存隊列組織管理模式都是每個顆粒由4個Bank組成。所以其內(nèi)存顆粒型號比較少，辨別也是最容易的。
HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”標識的是該顆粒的容量，后三位標識的是該內(nèi)存數(shù)據(jù)寬度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits;HYB39S128160即128MB/16bits;HYB39S256800即256MB/8bits。
Infineon內(nèi)存顆粒工作速率的表示方法是在其型號最后加一短線，然后標上工作速率。
-7.5——表示該內(nèi)存的工作頻率是133MHz;
-8——表示該內(nèi)存的工作頻率是100MHz。
例如：
1條Kingston的內(nèi)存條，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的內(nèi)存顆粒生產(chǎn)。其容量計算為： 128Mbits(兆數(shù)位)×16片/8=256MB(兆字節(jié))。
1條Ramaxel的內(nèi)存條，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的內(nèi)存顆粒生產(chǎn)。其容量計算為： 128Mbits(兆數(shù)位) × 8 片/8=128MB(兆字節(jié))。
五 鎂光顆粒
具體含義解釋：
以MT48LC16M8A2TG-75這個編號來說明美光內(nèi)存的編碼規(guī)則。
含義：
MT——Micron的廠商名稱。
48——內(nèi)存的類型。48代表SDRAM;46 代表DDR。
LC——供電電壓。LC代表3V;C 代表5V;V 代表2.5V。
16M8——內(nèi)存顆粒容量為128Mbits，計算方法是：16M(地址)×8位數(shù)據(jù)寬度。
A2——內(nèi)存內(nèi)核版本號。
TG——封裝方式，TG即TSOP封裝。
-75——內(nèi)存工作速率，-75即133MHz;-65即150MHz。
實例：一條Micron DDR內(nèi)存條，采用18片編號為MT46V32M4-75的顆粒制造。該內(nèi)存支持ECC功能。所以每個Bank是奇數(shù)片內(nèi)存顆粒。
其容量計算為：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB(兆字節(jié))。
六 華邦顆粒
具體含義解釋：
W XX XX XX XX
1 2 3 4 5
1、W代表內(nèi)存顆粒是由Winbond生產(chǎn)
2、代表顯存類型：98為SDRAM，94為DDR RAM
3、代表顆粒的版本號：常見的版本號為B和H;
4、代表封裝，H為TSOP封裝，B為BGA封裝，D為LQFP封裝
5、工作頻率:0：10ns、100MHz;8：8ns、125MHz;Z：7.5ns、133MHz;Y：6.7ns、150MHz;6：6ns、166MHz;5：5ns、200MHz
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