內(nèi)存條什么牌子最好
內(nèi)存條什么牌子最好
相信大家都用過很多內(nèi)存條，那你知道內(nèi)存條什么牌子最好嗎?下面是學習啦小編收集整理關(guān)于內(nèi)存條什么牌子最好的資料以供大家參考學習，希望大家喜歡。
主要含義：
第1位——芯片功能k，代表是內(nèi)存芯片。
第2位——芯片類型4，代表dram。
第3位——芯片的更進一步的類型說明，s代表sdram、h代表ddr、g代表sgram。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的內(nèi)存采用不同的刷新速率，也會使用不同的編號。64、62、63、65、66、67、6a代表64mbit的容量;28、27、2a代表128mbit的容量;56、55、57、5a代表256mbit的容量;51代表512mbit的容量。
第6、7位——數(shù)據(jù)線引腳個數(shù)，08代表8位數(shù)據(jù);16代表16位數(shù)據(jù);32代表32位數(shù)據(jù);64代表64位數(shù)據(jù)。
第11位——連線“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60為6ns;70為7ns;7b為7.5ns(cl=3);7c為7.5ns(cl=2);80為8ns;10為10ns(66mhz)。
知道了內(nèi)存顆粒編碼主要數(shù)位的含義，拿到一個內(nèi)存條后就非常容易計算出它的容量。例如一條三星ddr內(nèi)存，使用18片samsungk4h280838b-tcb0顆粒封裝。顆粒編號第4、5位“28”代表該顆粒是128mbits，第6、7位“08”代表該顆粒是8位數(shù)據(jù)帶寬，這樣我們可以計算出該內(nèi)存條的容量是128mbits(兆數(shù)位)×16片/8bits=256mb(兆字節(jié))。
注：“bit”為“數(shù)位”，“b”即字節(jié)“byte”，一個字節(jié)為8位則計算時除以8。關(guān)于內(nèi)存容量的計算，文中所舉的例子中有兩種情況：一種是非ecc內(nèi)存，每8片8位數(shù)據(jù)寬度的顆粒就可以組成一條內(nèi)存;另一種ecc內(nèi)存，在每64位數(shù)據(jù)之后，還增加了8位的ecc校驗碼。通過校驗碼，可以檢測出內(nèi)存數(shù)據(jù)中的兩位錯誤，糾正一位錯誤。所以在實際計算容量的過程中，不計算校驗位，具有ecc功能的18片顆粒的內(nèi)存條實際容量按16乘。在購買時也可以據(jù)此判定18片或者9片內(nèi)存顆粒貼片的內(nèi)存條是ecc內(nèi)存。
內(nèi)存條什么牌子最好
hynix(hyundai)現(xiàn)代
現(xiàn)代內(nèi)存的含義：
hy5dv641622at-36
hyhahahahahahahahahahahahahahahaha
123456789101112
1、hy代表是現(xiàn)代的產(chǎn)品
2、內(nèi)存芯片類型：(57=sdram，5d=ddrsdram);
3、工作電壓：空白=5v，v=3.3v,u=2.5v
4、芯片容量和刷新速率：16=16mbits、4kref;64=64mbits、8kref;65=64mbits、4kref;128=128mbits、8kref;129=128mbits、4kref;256=256mbits、16kref;257=256mbits、8kref
5、代表芯片輸出的數(shù)據(jù)位寬：40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位
6、bank數(shù)量：1、2、3分別代表2個、4個和8個bank，是2的冪次關(guān)系
7、i/o界面：1:sstl_3、 2:sstl_2
8、芯片內(nèi)核版本：可以為空白或a、b、c、d等字母，越往后代表內(nèi)核越新
9、代表功耗：l=低功耗芯片，空白=普通芯片
10、內(nèi)存芯片封裝形式：jc=400milsoj，tc=400miltsop-ⅱ，td=13mmtsop-ⅱ，tg=16mmtsop-ⅱ
11、工作速度：55:183mhz、5:200mhz、45:222mhz、43:233mhz、4:250mhz、33:300nhz、l:ddr200、h:ddr266b、 k:ddr266a
現(xiàn)代的mbga封裝的顆粒
infineon(英飛凌)
infineon是德國西門子的一個分公司，目前國內(nèi)市場上西門子的子公司infineon生產(chǎn)的內(nèi)存顆粒只有三種容量：容量為128mbits的顆粒,容量為256mbits的顆粒和512mbits.編號中詳細列出了其內(nèi)存的容量、數(shù)據(jù)寬度。infineon的內(nèi)存隊列組織管理模式都是每個顆粒由4個bank組成。所以其內(nèi)存顆粒型號比較少，辨別也是最容易的。
hyb39s128400即128mb/4bits，“128”標識的是該顆粒的容量，后三位標識的是該內(nèi)存數(shù)據(jù)寬度。其它也是如此，如：hyb39s128800即128mb/8bits;hyb39s128160即128mb/16bits;hyb39s256800即256mb/8bits。
infineon內(nèi)存顆粒工作速率的表示方法是在其型號最后加一短線，然后標上工作速率。
-7.5——表示該內(nèi)存的工作頻率是133mhz;
-8——表示該內(nèi)存的工作頻率是100mhz。
例如：
1條kingston的內(nèi)存條，采用16片infineon的hyb39s128400-7.5的內(nèi)存顆粒生產(chǎn)。其容量計算為：128mbits(兆數(shù)位)×16片/8=256mb(兆字節(jié))。
1條ramaxel的內(nèi)存條，采用8片infineon的hyb39s128800-7.5的內(nèi)存顆粒生產(chǎn)。其容量計算為：128mbits(兆數(shù)位)×8片/8=128mb(兆字節(jié))。
kingmax、kti
kingmax內(nèi)存的說明
kingmax內(nèi)存都是采用tinybga封裝(tinyballgridarray)。并且該封裝模式是專利產(chǎn)品，所以我們看到采用kingmax顆粒制作的內(nèi)存條全是該廠自己生產(chǎn)。kingmax內(nèi)存顆粒有兩種容量：64mbits和128mbits。在此可以將每種容量系列的內(nèi)存顆粒型號列表出來。
容量備注：
ksva44t4a0a——64mbits，16m地址空間×4位數(shù)據(jù)寬度;
ksv884t4a0a——64mbits，8m地址空間×8位數(shù)據(jù)寬度;
ksv244t4hahax——128mbits，32m地址空間×4位數(shù)據(jù)寬度;
ksv684t4hahax——128mbits，16m地址空間×8位數(shù)據(jù)寬度;
ksv864t4hahax——128mbits，8m地址空間×16位數(shù)據(jù)寬度。
kingmax內(nèi)存的工作速率有四種狀態(tài)，是在型號后用短線符號隔開標識內(nèi)存的工作速率：
-7a——pc133/cl=2;
-7——pc133/cl=3;
-8a——pc100/cl=2;
-8——pc100/cl=3。
例如一條kingmax內(nèi)存條，采用16片ksv884t4a0a-7a的內(nèi)存顆粒制造，其容量計算為：64mbits(兆數(shù)位)×16片/8=128mb(兆字節(jié))。
micron(美光)
以mt48lc16m8a2tg-75這個編號來說明美光內(nèi)存的編碼規(guī)則。
含義：
mt——micron的廠商名稱。
48——內(nèi)存的類型。48代表sdram;46代表ddr。
lc——供電電壓。lc代表3v;c代表5v;v代表2.5v。
16m8——內(nèi)存顆粒容量為128mbits，計算方法是：16m(地址)×8位數(shù)據(jù)寬度。
a2——內(nèi)存內(nèi)核版本號。
tg——封裝方式，tg即tsop封裝。
-75——內(nèi)存工作速率，-75即133mhz;-65即150mhz。
實例：一條micronddr內(nèi)存條，采用18片編號為mt46v32m4-75的顆粒制造。該內(nèi)存支持ecc功能。所以每個bank是奇數(shù)片內(nèi)存顆粒。
其容量計算為：容量32m×4bit×16片/8=256mb(兆字節(jié))。
winbond(華邦)
含義說明：
whahahahahahahaha
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1、w代表內(nèi)存顆粒是由winbond生產(chǎn)
2、代表顯存類型：98為sdram，94為ddrram
3、代表顆粒的版本號：常見的版本號為b和h;
4、代表封裝，h為tsop封裝，b為bga封裝，d為lqfp封裝
5、工作頻率:0：10ns、100mhz;8：8ns、125mhz;z：7.5ns、133mhz;y：6.7ns、150mhz;6：6ns、166mhz;5：5ns、200mhz
mosel(中國中國中國中國臺灣茂矽)
中國中國中國中國臺灣茂矽科技是中國中國中國中國臺灣一家較大的內(nèi)存芯片廠商，對大陸供貨不多，因此我們熟悉度不夠。這顆粒編號為v54c365164vdt45，從編號的6、7為65表示單顆粒為64/8=8mb，從編號的8、9位16可知單顆粒位寬16bit，從編號的最后3位t45可知顆粒速度為4.5ns
nanya(南亞)、elixir、pqi、pluss、atl、eudar
南亞科技是全球第六大內(nèi)存芯片廠商，也是去年中國中國中國中國臺灣內(nèi)存芯片商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五位。這顆顯存編號為nt5sv8m16ct-7k，其中第4位字母“s”表示是sdram顯存，6、7位8m表示單顆粒容量8m，8、9位16表示單顆粒位寬16bit，-7k表示速度為7ns。
1.KVR代表kingston value RAM
2.外頻速度
3.一般為X
4.64為沒有ECC;72代表有ECC
5.有S字符表示筆記本專用內(nèi)存，沒有S字符表示普通的臺式機或是服務(wù)器內(nèi)存
6.3：CAS=3;2.5：CAS=2.5;2：CAS=2
7.分隔符號
8.內(nèi)存的容量
金士頓ValueRAM SDRAM內(nèi)存命名方式也和DDR一樣。
另外我們在選擇內(nèi)存時，時常聽到一些諸如：-5ns，內(nèi)存帶寬，PC-2100等計量單位。它們究竟代表什么含義?相關(guān)聯(lián)的單位之間的換算關(guān)系是怎樣的?我想可能有不少人還是不太清楚。下面我就為大家簡單介紹一下。
Hz(赫茲)用來表示時鐘頻率，通常以MHz和GHz作為計量單位。
kHz 1000次/s(秒) 1kHz=1000Hz
MHz 100萬次/s(秒) 1MHz=1000kHz
GHz 10億次/s(秒) 1GHz=1000MHz
ns(納秒, ns為十億分之一秒)通常用來表示物理內(nèi)存和顯存的存取速度。其值越小，極限工作頻率就越高。
計算內(nèi)存顆粒極限工作頻率的公式是：
SDRAM極限工作頻率=1000÷ns
DDR SDRAM的極限工作頻率=(1000÷ns)×2
DDR SDRAM 在命名原則上也與SDRAM 不同。SDRAM 的命名是按照時鐘頻率來命名的，例如 PC100 與PC133。而 DDR SDRAM 則是以數(shù)據(jù)傳輸量作為命名原則，例如PC2100 以及 PC2700，單位 MB/s。所以 DDR SDRAM中的DDR266 其實與 PC2100 是相同的規(guī)格，數(shù)據(jù)傳輸量為 2128MB/s(64bit×133MHz×2÷8=2128MBytes/s)，而 DDR333與PC2700 也是一樣的情形(64bit×166MHz×2÷8=2656MBytes/s)。
v-data(香港威剛)、a-data(中國中國中國中國臺灣威剛)、vt
內(nèi)存顆粒編號為vdd8608a8a-6bh0327，是6納秒的顆粒，單面8片顆粒共256m容量，0327代表它的生產(chǎn)日期為2003年第27周
M.tec(勤茂)、TwinMOS(勤茂)
Mosel(中國臺灣茂矽)
中國臺灣茂矽科技是中國臺灣一家較大的內(nèi)存芯片廠商，對大陸供貨不多，因此我們熟悉度不夠。這顆粒編號為V54C365164VDT45，從編號的6、7為65表示單顆粒為64/8=8MB，從編號的8、9位16可知單顆粒位寬16bit，從編號的最后3位T45可知顆粒速度為4.5ns
南亞科技是全球第六大內(nèi)存芯片廠商，也是去年中國臺灣內(nèi)存芯片商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五位。這顆顯存編號為NT5SV8M16CT-7K，其中第4位字母“S”表示是SDRAM顯存，6、7位8M表示單顆粒容量8M，8、9位16表示單顆粒位寬16bit，-7K表示速度為7ns。
中國臺灣晶豪電子是中國臺灣5大內(nèi)存芯片廠商之一，它近年來發(fā)展迅速，主要中國大陸顯卡商采用它的顆粒較多。這顆顯存編號為-5.5Q，9948S M32L32321SB，-5.5Q代表顯存的速度為5.5ns，對應(yīng)的運行速度=1/5.5=183MHz;9948S表示封裝日期為99年第48周;第二行中的3232表示容量為32/8=4MB，數(shù)據(jù)帶寬為32bit
這顆顯存編號為M13L128168A-4T，5、6、7位的128表示單顆是128/8=16MB，8、9位表示位寬16bit，最后的-4T表示速度為4ns。
中國臺灣鈺創(chuàng)科技為最近興起的存儲芯片領(lǐng)域里的一顆新星，它的內(nèi)存顆粒被各大顯卡產(chǎn)商大量采用，品質(zhì)性能都非常不錯。這顆顯存編號為EM658160TS-4.5，其中EM代表EtronTech(鈺創(chuàng))顯存，65代表容量為64/8=8MB，16代表數(shù)據(jù)帶寬為16bit。T代表工作電壓為2.5V，S代表種類為DDR SDRAM。4.5代表顯存速度為4.5ns，額定工作頻率為230MHz。
內(nèi)存故障詳細分析手冊
內(nèi)存條維修之--內(nèi)存故障詳細分析手冊
一、開機無顯示
由于內(nèi)存條原因出現(xiàn)此類故障一般是因為內(nèi)存條與主板內(nèi)存插槽接觸不良造成，只要用橡皮擦來回擦試其金手指部位即可解決問題(不要用酒精等清洗)，還有就是內(nèi)存損壞或主板內(nèi)存槽有問題也會造成此類故障。
由于內(nèi)存條原因造成開機無顯示故障，主機揚聲器一般都會長時間蜂鳴(針對Award Bios而言)
二、Windows系統(tǒng)運行不穩(wěn)定，經(jīng)常產(chǎn)生非法錯誤
出現(xiàn)此類故障一般是由于內(nèi)存芯片質(zhì)量不良或軟件原因引起，如若確定是內(nèi)存條原因只有更換一途。
三、Windows注冊表經(jīng)常無故損壞，提示要求用戶恢復
此類故障一般都是因為內(nèi)存條質(zhì)量不佳引起，很難予以修復，唯有更換一途。
四、Windows經(jīng)常自動進入安全模式
此類故障一般是由于主板與內(nèi)存條不兼容或內(nèi)存條質(zhì)量不佳引起，常見于PC133內(nèi)存用于某些不支持PC133內(nèi)存條的主板上，可以嘗試在CMOS設(shè)置內(nèi)降低內(nèi)存讀取速度看能否解決問題，如若不行，那就只有更換內(nèi)存條了。
五、隨機性死機
此類故障一般是由于采用了幾種不同芯片的內(nèi)存條，由于各內(nèi)存條速度不同產(chǎn)生一個時間差從而導致死機，對此可以在CMOS設(shè)置內(nèi)降低內(nèi)存速度予以解決，否則，唯有使用同型號內(nèi)存。還有一種可能就是內(nèi)存條與主板不兼容，此類現(xiàn)象一般少見，另外也有可能是內(nèi)存條與主板接觸不良引起電腦隨機性死機，此類現(xiàn)象倒是比較常見。
六、內(nèi)存加大后系統(tǒng)資源反而降低
此類現(xiàn)象一般是由于主板與內(nèi)存不兼容引起，常見于PC133內(nèi)存條用于某些不支持PC133內(nèi)存條的主板上，即使系統(tǒng)重裝也不能解決問題。
七、Windows啟動時，在載入高端內(nèi)存文件himem.sys時系統(tǒng)提示某些地址有問題
此問題一般是由于內(nèi)存條的某些芯片損壞造成，解決方法可參見下面內(nèi)存維修一法。
八、運行某些軟件時經(jīng)常出現(xiàn)內(nèi)存不足的提示
此現(xiàn)象一般是由于系統(tǒng)盤剩余空間不足造成，可以刪除一些無用文件，多留一些空間即可，一般保持在300M左右為宜。
九、從硬盤引導安裝Windows進行到檢測磁盤空間時，系統(tǒng)提示內(nèi)存不足
此類故障一般是由于用戶在config.sys文件中加入了emm386.exe文件，只要將其屏蔽掉即可解決問題。
其實，從硬盤以DOS方式引導安裝windows的方法比較復雜而且速度慢，其一，必須要在硬盤上安裝DOS文件，且還要配置config.sys和autoexec.bat文件，若文件配置不當，還會引發(fā)一系例不可預見的故障，對于初學者很不實用。其二，windows裝入成功后，由于每次啟動系統(tǒng)都會調(diào)入config.sys與autoexec.bat文件來驅(qū)動光驅(qū)，使得系統(tǒng)啟動時間延長，如若屏蔽掉config.sys與autoexec.bat后，在windows下有時光驅(qū)又不能正常工作。
十、安裝Windows進行到系統(tǒng)配置時產(chǎn)生一個非法錯誤
此類故障一般是由于內(nèi)存條損壞造成，可以按內(nèi)存維修一法來解決，如若不行，那就只有更換內(nèi)存條了。
十一、啟動Windows時系統(tǒng)多次自動重新啟動
此類故障一般是由于內(nèi)存條或電源質(zhì)量有問題造成，當然，系統(tǒng)重新啟動還有可能是CPU散熱不良或其他人為故障造成，對此，唯有用排除法一步一步排除。
內(nèi)存報警問題在計算機故障現(xiàn)象中出現(xiàn)頻率最多，同時最容易解決----拆開機箱，把內(nèi)存拔出來，再插一下就好了。嚴重一點的需要把機箱內(nèi)的灰塵清除干凈，或者換個內(nèi)存插槽試一試。相對于其他計算機硬件故障，內(nèi)存報警可以說是最簡單的硬件故障了，就是沒有接觸過電腦的菜鳥，在電話的指導下也能夠輕松此類問題。
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