內(nèi)存條有哪些類型
你們知道內(nèi)存條有哪些類型嗎?不知道的話跟著學(xué)習(xí)啦小編一起來學(xué)習(xí)了解內(nèi)存條有哪些類型。
內(nèi)存條的類型及介紹
1.內(nèi)存條的誕生 當(dāng)CPU在工作時(shí)，需要從硬盤等外部存儲器上讀取數(shù)據(jù)，但由于硬盤這個(gè)“倉庫”太大，加上離CPU也很“遠(yuǎn)”，運(yùn)輸“原料”數(shù)據(jù)的速度就比較慢，導(dǎo)致CPU的生產(chǎn)效率大打折扣!為了解決這個(gè)問題，人們便在CPU與外部存儲器之間，建了一個(gè)“小倉庫”—內(nèi)存。/
內(nèi)存雖然容量不大，一般只有幾十MB到幾百M(fèi)B，但中轉(zhuǎn)速度非常快，如此一來，當(dāng)CPU需要數(shù)據(jù)時(shí)，事先可以將部分?jǐn)?shù)據(jù)存放在內(nèi)存中，以解CPU的燃眉之急。由于內(nèi)存只是一個(gè)“中轉(zhuǎn)倉庫”，因此它并不能用來長時(shí)間存儲數(shù)據(jù)。內(nèi)存又叫隨機(jī)存儲器斷電之后數(shù)據(jù)全部丟失。而硬盤則不會。
2.常見的內(nèi)存條,
目前PC中所用的內(nèi)存主要有SDRAM、DDR SDRAM、RDRAM等三種類型。
曾經(jīng)主流—SDRAMB
SDRAM(Synchronous DRAM)即“同步動態(tài)隨機(jī)存儲器”。SDRAM內(nèi)存條的兩面都有金手指，是直接插在內(nèi)存條插槽中的，因此這種結(jié)構(gòu)也叫“雙列直插式”，英文名叫“DIMM”。目前絕大部分內(nèi)存條都采用這種“DIMM”結(jié)構(gòu)。$ /Ee
隨著處理器前端總線的不斷提高，SDRAM已經(jīng)無法滿足新型處理器的需要了，早已退出了主流市場。
今日主流—DDR SDRAM
DDR SDRAM(簡稱DDR)是采用了DDR(Double Data Rate SDRAM，雙倍數(shù)據(jù)速度)技術(shù)的SDRAM，與普通SDRAM相比，在同一時(shí)鐘周期內(nèi)，DDR SDRAM能傳輸兩次數(shù)據(jù)，而SDRAM只能傳輸一次數(shù)據(jù)。
從外形上看DDR內(nèi)存條與SDRAM相比差別并不大，它們具有同樣的長度與同樣的引腳距離。只不過DDR內(nèi)存條有184個(gè)引腳，金手指中也只有一個(gè)缺口，而SDRAM內(nèi)存條是168個(gè)引腳，并且有兩個(gè)缺口。."?H0B
根據(jù)DDR內(nèi)存條的工作頻率，它又分為DDR200、DDR266、DDR333、DDR400等多種類型：與SDRAM一樣，DDR也是與系統(tǒng)總線頻率同步的，不過因?yàn)殡p倍數(shù)據(jù)傳輸，因此工作在133MHz頻率下的DDR相當(dāng)于266MHz的SDRAM，于是便用DDR266來表示。cX
小提示：工作頻率表示內(nèi)存所能穩(wěn)定運(yùn)行的最大頻率，例如PC133標(biāo)準(zhǔn)的SDRAM的工作頻率為133MHz，而DDR266 DDR的工作頻率為266MHz。對于內(nèi)存而言，頻率越高，其帶寬越大。
除了用工作頻率來標(biāo)示DDR內(nèi)存條之外，有時(shí)也用帶寬值來標(biāo)示，例如DDR 266的內(nèi)存帶寬為2100MB/s，所以又用PC2100來標(biāo)示它，于是DDR333就是PC2700，DDR400就是PC3200了。
小提示：內(nèi)存帶寬也叫“數(shù)據(jù)傳輸率”，是指單位時(shí)間內(nèi)通過內(nèi)存的數(shù)據(jù)量，通常以GB/s表示。我們用一個(gè)簡短的公式來說明內(nèi)存帶寬的計(jì)算方法：內(nèi)存帶寬=工作頻率×位寬/8×n(時(shí)鐘脈沖上下沿傳輸系數(shù)，DDR的系數(shù)為2)。
由于DDR內(nèi)存條價(jià)格低廉，性能出色，因此成為今日主流的內(nèi)存產(chǎn)品。過時(shí)的貴族—RDRAM'8
RDRAM(存儲器總線式動態(tài)隨機(jī)存儲器)是Rambus公司開發(fā)的一種新型DRAM。RDRAM雖然位寬比SDRAM及DDR的64bit窄，但其時(shí)鐘頻率要高得多。從外觀上來看，RDRAM內(nèi)存條與SDRAM、DDR SDRAM內(nèi)存條有點(diǎn)相似。從技術(shù)上來看，RDRAM是一種比較先進(jìn)的內(nèi)存，但由于價(jià)格高，在市場上普及不是很實(shí)際。如今的RDRAM已經(jīng)退出了普通臺式機(jī)市場。Jn^Lm
3.內(nèi)存的封裝xS{
目前內(nèi)存的封裝方式主要有TSOP、BGA、CSP等三種，封裝方式也影響著內(nèi)存條的性能優(yōu)劣。
TSOP封裝：TOSP(Thin Small Outline Package，薄型小尺寸封裝)的一個(gè)典型特點(diǎn)就是在封裝芯片的周圍做出很多引腳。TSOP封裝操作方便，可靠性比較高，是目前的主流封裝方式。X5hwJm
BGA封裝：BGA叫做“球柵陣列封裝”，其最大的特點(diǎn)就是芯片的引腳數(shù)目增多了，組裝成品率提高了。采用BGA封裝可以使內(nèi)存在體積不變的情況下將內(nèi)存容量提高兩到三倍，與TSOP相比，它具有更小的體積、更好的散熱性能和電性能。#bfzvx
CSP封裝：CSP(Chip Scale Package，芯片級封裝)作為新一代封裝方式，其性能又有了很大的提高。CSP封裝不但體積小，同時(shí)也更薄，更能提高內(nèi)存芯片長時(shí)間運(yùn)行的可靠性，芯片速度也隨之得到大幅度的提高。目前該封裝方式主要用于高頻DDR內(nèi)存。
1.時(shí)鐘周期(TCK)s[{
TCK是“Clock Cycle Time”的縮寫，即內(nèi)存時(shí)鐘周期。它代表了內(nèi)存可以運(yùn)行的最大工作頻率，數(shù)字越小說明內(nèi)存所能運(yùn)行的頻率就越高。時(shí)鐘周期與內(nèi)存的工作頻率是成倒數(shù)的，即TCK=1/F。比如一塊標(biāo)有“-10”字樣的內(nèi)存芯片，“-10”表示它的運(yùn)行時(shí)鐘周期為10ns，即可以在100MHz的頻率下正常工作?！ ?.存取時(shí)間(TAC)/h+L
TAC(Access Time From CLK)表示“存取時(shí)間”。與時(shí)鐘周期不同，TAC僅僅代表訪問數(shù)據(jù)所需要的時(shí)間。如一塊標(biāo)有“-7J”字樣的內(nèi)存芯片說明該內(nèi)存條的存取時(shí)間是7ns。存取時(shí)間越短，則該內(nèi)存條的性能越好，比如說兩根內(nèi)存條都工作在133MHz下，其中一根的存取時(shí)間為6ns，另外一根是7ns，則前者的速度要好于后者。
3.CAS延遲時(shí)間(CL)
CL(CAS Latency)是內(nèi)存性能的一個(gè)重要指標(biāo)，它是內(nèi)存縱向地址脈沖的反應(yīng)時(shí)間。當(dāng)電腦需要向內(nèi)存讀取數(shù)據(jù)時(shí)，在實(shí)際讀取之前一般都有一個(gè)“緩沖期”，而“緩沖期”的時(shí)間長度，就是這個(gè)CL了。內(nèi)存的CL值越低越好，因此，縮短CAS的周期有助于加快內(nèi)存在同一頻率下的工作速度。
4.奇偶校驗(yàn)(ECC)HIIA
內(nèi)存是一種數(shù)據(jù)中轉(zhuǎn)“倉庫”，而在頻繁的中轉(zhuǎn)過程中，一旦搞錯(cuò)了數(shù)據(jù)怎么辦?而ECC就是一種數(shù)據(jù)檢驗(yàn)機(jī)制。ECC不僅能夠判斷數(shù)據(jù)的正確性，還能糾正大多數(shù)錯(cuò)誤。普通PC中一般不用這種內(nèi)存，它們一般應(yīng)用在高端的服務(wù)器電腦中。oK9pld
目前市場上主流的內(nèi)存有SDRAM和DDR SDRAM，內(nèi)存條品牌主要有勝創(chuàng)，金士頓、三星、宇瞻、富豪、現(xiàn)代等等3}zX
1. 內(nèi)存的單面與雙面，單Bank與雙Bank的區(qū)別?
單面內(nèi)存與雙面內(nèi)存的區(qū)別在于單面內(nèi)存的內(nèi)存芯片都在同一面上，而雙面內(nèi)存的內(nèi)存芯片分布在兩面。而單Bank與雙Bank的區(qū)別就不同了。Bank從物理上理解為北橋芯片到內(nèi)存的通道，通常每個(gè)通道為64bit。一塊主板的性能優(yōu)劣主要取決于它的芯片組。不同的芯片組所支持的Bank是不同的。如Intel 82845系列芯片組支持4個(gè)Bank，而SiS的645系列芯片組則能支持6個(gè)Bank。如果主板只支持4個(gè)Bank，而我們卻用6個(gè)Bank的話，那多余的2個(gè)Bank就白白地浪費(fèi)了。雙面不一定是雙Bank，也有可能是單Bank，這一點(diǎn)要注意。
2. 內(nèi)存的2-2-3通常是什么意思?
這些電腦硬件文章經(jīng)常出現(xiàn)的參數(shù)就是在主板的BIOS里面關(guān)于內(nèi)存參數(shù)的設(shè)置了。通常說的2-2-3按順序說的是tRP(Time of Row Precharge)，tRCD(Time of RAS to CAS Delay)和CL(CAS Latency)。tRP為RAS預(yù)充電時(shí)間，數(shù)值越小越好;tRCD是RAS到CAS的延遲，數(shù)值越小越好;CL(CAS Latency)為CAS的延遲時(shí)間，這是縱向地址脈沖的反應(yīng)時(shí)間，也是在一定頻率下衡量支持不同規(guī)范的內(nèi)存的重要標(biāo)志之一。
3.內(nèi)存的雙通道技術(shù)和單通道有什么不同?
什么是雙通道DDR技術(shù)呢?需要說明的是，它并非我前面提到的D D R I I，而是一種可以讓2條D D R內(nèi)存共同使用，數(shù)據(jù)并行傳輸?shù)募夹g(shù)。雙通道DDR技術(shù)的優(yōu)勢在于，它可以讓內(nèi)存帶寬在原來的基礎(chǔ)上增加一倍，這對于P 4處理器的好處可謂不言而喻。400M H z 前端總線的P 4 A處理器和主板傳輸數(shù)據(jù)的帶寬為3.2G B /s，而533 M Hz 前端總線的P4B處理器更是達(dá)到了4.3G B/s，而P4C處理器更是達(dá)到了800MHZ 前端總線從而需要6. 4 G的內(nèi)存帶寬。但是目前除了I850E支持的R ambus P C10 66規(guī)范外，根本沒有內(nèi)存可以滿足處理器的需要，我們最常用的DDR333本身僅具有2.7G B/s的帶寬。DDR400也只能提供3.2G /s的帶寬。也就是說，如果我們搭建雙通道DDR400的內(nèi)存，理論上提供2倍DDR400的帶寬。將從而根本的解決了CPU和內(nèi)存之間的瓶頸問題。
4.DDR-Ⅱ和現(xiàn)在的DDR內(nèi)存有什么不同?
DDR-II內(nèi)存是相對于現(xiàn)在主流的DDR-I內(nèi)存而言的，它們的工作時(shí)鐘預(yù)計(jì)將為400MHz或更高。主流內(nèi)存市場將從現(xiàn)在的DDR-400產(chǎn)品直接過渡到DDR-II。目前DDR-II內(nèi)存將采用0.13微米工藝，將來會過度到90納米，工作頻率也會超過800MHZ。
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