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怎么查看內(nèi)存條型號大小

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怎么查看內(nèi)存條型號大小

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  內(nèi)存條型號大小怎么查看

  A局部標(biāo)明的是出產(chǎn)此顆粒企業(yè)的名目——Hynix。B局部標(biāo)明的是該內(nèi)存模組的出產(chǎn)日期,以三個阿拉伯?dāng)?shù)字的形式出現(xiàn)。第一個阿拉伯?dāng)?shù)字表示出產(chǎn)的年份,后面兩位數(shù)字闡明是在該年的第XX周出產(chǎn)出來的。如上圖中的517表示該模組是在05年的第17周出產(chǎn)的。

  C局部表示該內(nèi)存顆粒的頻率、遲到參數(shù)。由1-3位字母和數(shù)字共同構(gòu)成。其依據(jù)頻率、遲到參數(shù)不同,離別能夠用“D5、D43、D4、J、M、K、H、L”8個字母/數(shù)字組合來表示。其含義離別為D5代表DDR500(250MHz),遲到為3-4-4;D43代表DDR433(216MHz),遲到為3-3-3;D4代表DDR400(200MHz),遲到為3-4-4;J代表DDR333(166MHz),遲到為2.5-3-3;M代表DDR266(133MHz),遲到為2-2-2;K代表DDR266A(133MHz),遲到為2-3-3;H代表DDR266B(133MHz),遲到為2.5-3-3;L代表DDR200(100MHz),遲到為2-2-2。

  D局部編號切實上是由12個小局部構(gòu)成,離別表示內(nèi)存模組xihuanplaza.com的容量、顆粒的位寬、工作電壓等消息。翔實翔實內(nèi)容如圖二所示。

  D局部編號12個小局部分解示愿望

  批準(zhǔn)當(dāng)代顆粒的內(nèi)存顆粒特寫

  第1局部代表該顆粒的出產(chǎn)企業(yè)。“HY”是HYNIX的簡稱,代表著該顆粒是當(dāng)代出產(chǎn)制造。第2局部代表產(chǎn)品家族,由兩位數(shù)字或字母構(gòu)成,“5D”表示為DDR內(nèi)存,“57”表示為SDRAM內(nèi)存。

  第3局部代表工作電壓,由一個字母構(gòu)成。其中含義為V代表VDD=3.3V & VDDQ=2.5V; U代表VDD=2.5V & VDDQ=2.5V;W代表VDD=2.5V & VDDQ=1.8V;S代表VDD=1.8V & VDDQ=1.8V來離別代表不同的工作電壓。

  第4局部代表內(nèi)存模組的容量和刷新設(shè)置,由兩位數(shù)字或字母構(gòu)成。對于DDR內(nèi)存,離別由&ldquohttp://www.hangu365.com;64、66、28、56、57、12、1G”來代表不同的容量和刷新設(shè)置。其中含義為:64代表64MB容量,4K刷新;66代表64MB容量,2K刷新; 28代表128MB容量,4K刷新;56代表256MB容量,8K刷新;57代表256MB容量,4K刷新;12代表512MB容量,8K刷新;1G代表1GB容量,8K刷新。

  第5局部代表該內(nèi)存顆粒的位寬,由1個或2個數(shù)字構(gòu)成。分為4種情形,離別用“4、8、16、32”來離別代表4bit、8bit、16bit和32bit。

  第6局部表示的是Bank數(shù),由1個數(shù)字構(gòu)成。有三種情形,離別是“1”代表2 bank,“2”代表4 bank,“4”代表8 bank。

  第7局部代表接口種類,由一個數(shù)字構(gòu)成。分為三種情形,離別是“1”代表SSTL_3,“2”代表SSTL_2;“3”代表SSTL_18。

  第8局部代表該顆粒的版本,由一個字母構(gòu)成,這局部的字母在26個字母中的位置越*后,解釋該內(nèi)存顆粒的版本越新,現(xiàn)在為止HY內(nèi)存共同5個版本,體目前編號上,空白表示第一版,“A”表示第二版,順次類推,到第5版則有“D”來代表。購買內(nèi)存的時候版本越解釋新電器功能越好。

  第9局部代表的是功耗,萬一該局部是空白,則解釋該顆粒的功耗為等閑,萬一該局部揭示了“L”字母,則代表該內(nèi)存顆粒為低功耗。

  第10局部代表內(nèi)存的封裝種類,由一個或兩個字母構(gòu)成。由“T”代表TOSP封裝,“Q”代表LOFP封裝,“F”代表FBGA封裝,“FC”代表FBGA(UTC:8 x 13mm)封裝。

  第11局部代表堆疊封裝,由一個或兩個字母構(gòu)成。空白代表等閑;S代表Hynix;K代表M&碧歐泉T;J代表其它;M代表MCP(Hynix);MU代表MCP(UTC)。

  第12局部代表封裝材料,由一個字母構(gòu)成。空白表示等閑,“P”代表鉛,“H”代表鹵素,“R”代表鉛和鹵素。

  總的說來,其實凡是記住第2、3、6和C局部等幾處數(shù)字的切實含義,就能很迅捷對利用當(dāng)代DDR SDRAM內(nèi)存顆粒的產(chǎn)品舉行分辨。尤其是C局部數(shù)字,它將很確定的告訴花費者,這款內(nèi)存切實的最高工作事態(tài)是多少。

  總的來說購買批準(zhǔn)當(dāng)代顆粒的DDR400內(nèi)存條,良好購買編號是“HYXXXXXXXDX”,對于DDR400內(nèi)存來說編號的尾數(shù)良好是“D43”,因為“D”代表的是最新版的當(dāng)代DDR內(nèi)存顆粒,在超頻方面其出現(xiàn)極其出眾的出現(xiàn)。而“D43”所代表的是216MHz的工作頻率,將其利用在DDR400內(nèi)存中,切實上是將“D43”降頻為“D4”利用,具有很強的超頻力氣。對于現(xiàn)在內(nèi)存市場的進(jìn)展和其優(yōu)惠價格來說,512MB/DDR400和DDR2/533內(nèi)存是目前最劃算購買的內(nèi)存,無論是其價格還是在用料上都是極其優(yōu)惠和出眾的,最后提醒大家的是購買內(nèi)存時要當(dāng)心售后服務(wù).public synchronized void setValues (int height,int width) throws

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