常見(jiàn)內(nèi)存型號(hào)基礎(chǔ)知識(shí)大全

　　歡迎來(lái)到學(xué)習(xí)啦，本文為大家講解常見(jiàn)內(nèi)存型號(hào)基礎(chǔ)知識(shí)大全，歡迎大家閱讀借鑒，多學(xué)習(xí)，終身有益。

　　DDR=DoubleDataRate雙倍速率同步固態(tài)隨機(jī)處理器

　　嚴(yán)格的說(shuō)DDR應(yīng)該叫DDRSDRAM，人們習(xí)慣稱為DDR，部分初學(xué)者也?？吹紻DRSDRAM，就認(rèn)為是SDRAM。DDRSDRAM是 DoubleDataRateSDRAM的縮寫(xiě)，是雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的意思。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)的，仍然沿用 SDRAM生產(chǎn)體系，因此對(duì)于內(nèi)存廠商而言，只需對(duì)制造普通SDRAM的設(shè)備稍加改進(jìn)，即可實(shí)現(xiàn)DDR內(nèi)存的生產(chǎn)，可有效的降低成本。

　　什么是DDR1?

　　有時(shí)候大家將老的存儲(chǔ)技術(shù)DDR稱為DDR1，使之與DDR2加以區(qū)分。盡管一般是使用“DDR”，但DDR1與DDR的含義相同。

　　DDR1規(guī)格

　　DDR-200:DDR-SDRAM記憶芯片在100MHz下運(yùn)行DDR-266:DDR-SDRAM記憶芯片在133MHz下運(yùn)行DDR- 333:DDR-SDRAM記憶芯片在166MHz下運(yùn)行DDR-400:DDR-SDRAM記憶芯片在200MHz下運(yùn)行(JEDEC制定的DDR最高規(guī)格)DDR-500:DDR-SDRAM記憶芯片在250MHz下運(yùn)行(非JEDEC制定的DDR規(guī)格)DDR-600:DDR-SDRAM記憶芯片在 300MHz下運(yùn)行(非JEDEC制定的DDR規(guī)格)DDR-700:DDR-SDRAM記憶芯片在350MHz下運(yùn)行(非JEDEC制定的DDR規(guī)格)

　　什么是DDR2?

　　DDR2/DDRII(DoubleDataRate2)SDRAM是由JEDEC(電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì))進(jìn)行開(kāi)發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同就是，雖然同是采用了在時(shí)鐘的上升/下降延同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞剑獶DR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR 內(nèi)存預(yù)讀取能力(即：4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)取)。換句話說(shuō)，DDR2內(nèi)存每個(gè)時(shí)鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫(xiě)數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運(yùn)行。

　　此外，由于DDR2標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定所有DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式，而不同于目前廣泛應(yīng)用的TSOP/TSOP-II封裝形式，F(xiàn)BGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性，為DDR2內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來(lái)頻率的發(fā)展提供了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)?；叵肫餌DR的發(fā)展歷程，從第一代應(yīng)用到個(gè)人電腦的 DDR200經(jīng)過(guò)DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術(shù)，第一代DDR的發(fā)展也走到了技術(shù)的極限，已經(jīng)很難通過(guò)常規(guī)辦法提高內(nèi)存的工作速度;隨著Intel最新處理器技術(shù)的發(fā)展，前端總線對(duì)內(nèi)存帶寬的要求是越來(lái)越高，擁有更高更穩(wěn)定運(yùn)行頻率的DDR2內(nèi)存將是大勢(shì)所趨。

　　什么是DDR3?

　　DDR3是針對(duì)Intel新型芯片的一代內(nèi)存技術(shù)(但目前主要用于顯卡內(nèi)存)，頻率在800M以上，和DDR2相比優(yōu)勢(shì)如下：

　　(1)功耗和發(fā)熱量較?。何×薉DR2的教訓(xùn)，在控制成本的基礎(chǔ)上減小了能耗和發(fā)熱量，使得DDR3更易于被用戶和廠家接受。

　　(2)工作頻率更高：由于能耗降低，DDR3可實(shí)現(xiàn)更高的工作頻率，在一定程度彌補(bǔ)了延遲時(shí)間較長(zhǎng)的缺點(diǎn)，同時(shí)還可作為顯卡的賣(mài)點(diǎn)之一，這在搭配DDR3顯存的顯卡上已有所表現(xiàn)。

　　(3)降低顯卡整體成本：DDR2顯存顆粒規(guī)格多為16MX32bit，搭配中高端顯卡常用的128MB顯存便需8顆。而DDR3顯存顆粒規(guī)格多為32MX32bit，單顆顆粒容量較大，4顆即可構(gòu)成128MB顯存。如此一來(lái)，顯卡PCB面積可減小，成本得以有效控制，此外，顆粒數(shù)減少后，顯存功耗也能進(jìn)一步降低。

　　(4)通用性好：相對(duì)于DDR變

　　更到DDR2，DDR3對(duì)DDR2的兼容性更好。由于針腳、封裝等關(guān)鍵特性不變，搭配DDR2的顯示核心和公版設(shè)計(jì)的顯卡稍加修改便能采用DDR3顯存，這對(duì)廠商降低成本大有好處。

　　目前，DDR3顯存在新出的大多數(shù)中高端顯卡上得到了廣泛的應(yīng)用。

　　編后語(yǔ)：大家通過(guò)閱讀以上為大家詳細(xì)介紹的常見(jiàn)內(nèi)存型號(hào)基礎(chǔ)知識(shí)，對(duì)于電腦內(nèi)存是不是有了個(gè)深刻的理解了呢!希望能夠幫助到大家學(xué)習(xí)到更多關(guān)于電腦基礎(chǔ)知識(shí)!