三星s7572是什么cpu
三星集團(tuán)成立于1938年，由李秉喆創(chuàng)辦。三星集團(tuán)是家族企業(yè)，李氏家族世襲，旗下各個(gè)三星產(chǎn)業(yè)均為家族產(chǎn)業(yè)，并由家族中的其他成員管理，集團(tuán)領(lǐng)導(dǎo)人已傳至李氏第三代，李健熙為現(xiàn)任集團(tuán)會(huì)長(zhǎng)，其子李在镕任三星電子副會(huì)長(zhǎng)。下面是學(xué)習(xí)啦小編帶來(lái)的關(guān)于三星s7572是什么cpu的內(nèi)容，歡迎閱讀!
三星s7572是什么cpu：
三星 S7572 CPU型號(hào)是三星 Exynos 4412，四核處理器，主頻1.4GHz。
三星 S7572基本信息如下：
上市時(shí)間：2013年;
手機(jī)類型：3G手機(jī)，智能手機(jī);
外觀設(shè)計(jì)：直板;
主屏尺寸：4英寸;
觸摸屏：電容屏，多點(diǎn)觸控;
主屏材質(zhì)：TFT;
主屏分辨率：800x480像素;
主屏色彩：1600萬(wàn)色;
網(wǎng)絡(luò)類型：雙卡雙模;
網(wǎng)絡(luò)模式：GSM，WCDMA;
數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)：GPRS，EDGE，HSDPA;
支持頻段：2G：GSM 850/900/1800/1900;
3G：WCDMA 900/2100MHz;
鍵盤類型：虛擬QWERTY鍵盤;
機(jī)身顏色：白色 藍(lán)黑色;
手機(jī)尺寸：121.5x63.1x11.1mm;
手機(jī)重量：128.5g。
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半導(dǎo)體可謂是打造三星的一等功臣，三星電子的半導(dǎo)體發(fā)展史是企業(yè)的冒險(xiǎn)挑戰(zhàn)精神、董事會(huì)的決策、快速的掌握技術(shù)能力以及把握市場(chǎng)動(dòng)向的敏銳洞察力融匯于一體的結(jié)果。
三星集團(tuán)創(chuàng)始人李秉哲不顧公司眾人反對(duì)，毅然決然地于1983年在日本東京正式開始進(jìn)軍半導(dǎo)體行業(yè)。對(duì)此他曾經(jīng)表示，三星符合韓國(guó)缺乏資源的自然條件，只有開發(fā)高附加值、技術(shù)含量高的產(chǎn)品才能實(shí)現(xiàn)企業(yè)的第二次飛躍。
在此后的10個(gè)月內(nèi)，三星電子在世界上第三個(gè)推出64K DRAM，這在國(guó)內(nèi)外經(jīng)濟(jì)界引起強(qiáng)烈反響。然而，日后由于半導(dǎo)體價(jià)格暴跌，企業(yè)在事業(yè)之初陷入困境。盡管如此，三星的存儲(chǔ)器半導(dǎo)體依然取得了長(zhǎng)足的發(fā)展，1992年率先開發(fā)成功64M DRAM，終于在世界上確保了最強(qiáng)的技術(shù)實(shí)力;1993年如愿以償?shù)貥s登存儲(chǔ)器半導(dǎo)體世界第一的寶座。此后于1994年和1996年連續(xù)開發(fā)成功256M和1G DRAM，這同樣擁有‘世界最先開發(fā)’的榮耀，這樣，半導(dǎo)體逐漸成為韓國(guó)具有代表性的產(chǎn)業(yè)。2002年NAND Flash位居世界榜首;2006年與2007年分別在世界上率先研制成功50納米級(jí)DRAM和30納米級(jí)NAND等，三星電子在存儲(chǔ)器領(lǐng)域的占有率超過(guò)30%，成為業(yè)界的強(qiáng)者。
三星電子在2010年度依然保持著領(lǐng)先于世界的記錄，諸如最先進(jìn)行30納米級(jí)DRAM的批量生產(chǎn)、從7月份開始批量生產(chǎn)30納米級(jí)4Gb DDR3(Double Data Rate 3) DRAM。30納米只相當(dāng)于發(fā)絲1/4的厚度，30納米級(jí)DRAM與現(xiàn)有40納米級(jí)DRAM相比，可提高60%的生產(chǎn)效率;成本競(jìng)爭(zhēng)力相當(dāng)于50~60納米級(jí)DRAM的2倍以上;此外，耗電量與50納米級(jí)DRAM相比最多可減少65%以上。
據(jù)市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)Gartner相關(guān)資料顯示，DRAM發(fā)展勢(shì)頭良好，在2010年第二季度DRAM排名中，三星電子始終保持先導(dǎo)地位。Gartner在報(bào)告中稱，三星電子的市場(chǎng)占有率超過(guò)35%，這更加鞏固了其在市場(chǎng)上的地位。(Samsung extends lead in DRAM rankings，美 EE Times，8/9)
三星電子2010年度半導(dǎo)體投資規(guī)模達(dá)11兆韓元，特別是將存儲(chǔ)器半導(dǎo)體設(shè)施投資由當(dāng)初計(jì)劃的5兆5000億韓元增加至9兆韓元。從中可以看出，三星電子在2010年將繼續(xù)確保其在上述領(lǐng)域世界最大供給商的地位。(Can Samsung Overtake Intel?，美 WSJ，5/18)
另一方面，市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)IC Insights預(yù)計(jì)，三星電子于2014年有望超越英特爾，躍升為半導(dǎo)體行業(yè)榜首。1999~2009年，三星電子的年均增長(zhǎng)率(CAGR)為13.5%，而英特爾為3.4%，以此為依據(jù)，預(yù)計(jì)2014年三星電子的銷售額將超過(guò)英特爾。(Samsung to overtake Intel as No.1 chip company in 2014，美 ElectronicsWeekly，美 EE Times，8/26 & 中 Sina，8/27)
另外一個(gè)值得關(guān)注的是鑄造(foundry)領(lǐng)域，三星電子在該領(lǐng)域尚未揚(yáng)名，2010年是三星電子進(jìn)軍鑄造領(lǐng)域第五個(gè)年頭，("We Wouldn't Launch a New Business Unless We Knew We Could Win"---Jeong-ki (Jay) Min，Samsung，日 NE Asia，8月)。
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