臺(tái)式機(jī)內(nèi)存條怎么樣拔下來
臺(tái)式機(jī)內(nèi)存條想清理下灰塵，該怎么樣拔下來呢?下面由學(xué)習(xí)啦小編給你做出詳細(xì)的臺(tái)式機(jī)內(nèi)存條拔下來方法介紹!希望對(duì)你有幫助!
臺(tái)式機(jī)內(nèi)存條拔下來方法一：
主板上比較長(zhǎng)的，一般在大風(fēng)扇一旁，兩端會(huì)有兩個(gè)白色硬質(zhì)卡鍵，用手先摁下去，然后拿出內(nèi)存條。
裝的時(shí)候記得內(nèi)存條的正反方向，然后裝的時(shí)候要按緊，打開的卡鍵自動(dòng)關(guān)上并發(fā)出“咔咔”聲為最佳。
臺(tái)式機(jī)內(nèi)存條拔下來方法二：
插拔內(nèi)存條必須關(guān)機(jī)操作。
每根內(nèi)存條的兩端，都有白色的卡子，用力按這個(gè)卡子，內(nèi)存條就會(huì)跳起來，就可以很方便地取下內(nèi)存條。
插內(nèi)存條時(shí)，要注意內(nèi)存條上的一個(gè)定位缺口，要與槽內(nèi)的凸口的方向?qū)?yīng)，然后可以一頭一頭地壓進(jìn)槽里，兩端的卡子會(huì)自動(dòng)彈起。
注意：內(nèi)存條插反了，內(nèi)存條就不能插到底，兩端的卡子至少有一個(gè)不能彈起，如果貿(mào)然開機(jī)，會(huì)燒壞內(nèi)存條。
臺(tái)式機(jī)內(nèi)存條拔下來方法三：
打開機(jī)箱。
一般現(xiàn)在的機(jī)箱蓋是用螺絲上緊的，用螺絲刀將螺絲擰開。一般擰開遠(yuǎn)離主板一邊的螺絲,打開一側(cè)機(jī)箱蓋就可以了。機(jī)箱蓋有的是卡子卡的，自己要注意觀察。
將機(jī)箱放平，主板朝上。
找到內(nèi)存條插槽，有兩個(gè)插槽。上面的一個(gè)插槽已經(jīng)有內(nèi)存條存在。
兩手用點(diǎn)勁，壓內(nèi)存條兩頭的白色卡子，內(nèi)存條將自動(dòng)彈出插槽。
兩手提內(nèi)存條的兩頭，平行將內(nèi)存條提出。
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SDRAM時(shí)代簡(jiǎn)介
自Intel Celeron系列以及AMD K6處理器以及相關(guān)的主板芯片組推出后，EDO DRAM內(nèi)存性能再也無法滿足需要了，內(nèi)存技術(shù)必須徹底得到個(gè)革新才能滿足新一代CPU架構(gòu)的需求，此時(shí)內(nèi)存開始進(jìn)入比較經(jīng)典的SDRAM時(shí)代。
第一代SDRAM 內(nèi)存為PC66 規(guī)范，但很快由于Intel 和AMD的頻率之爭(zhēng)將CPU外頻提升到了100MHz，所以PC66內(nèi)存很快就被PC100內(nèi)存取代，接著133MHz 外頻的PIII以及K7時(shí)代的來臨，PC133規(guī)范也以相同的方式進(jìn)一步提升SDRAM 的整體性能，帶寬提高到1GB/sec以上。由于SDRAM 的帶寬為64bit，正好對(duì)應(yīng)CPU 的64bit 數(shù)據(jù)總線寬度，因此它只需要一條內(nèi)存便可工作，便捷性進(jìn)一步提高。在性能方面，由于其輸入輸出信號(hào)保持與系統(tǒng)外頻同步，因此速度明顯超越EDO 內(nèi)存。
不可否認(rèn)的是，SDRAM 內(nèi)存由早期的66MHz，發(fā)展后來的100MHz、133MHz，盡管沒能徹底解決內(nèi)存帶寬的瓶頸問題，但此時(shí)CPU超頻已經(jīng)成為DIY用戶永恒的話題，所以不少用戶將品牌好的PC100品牌內(nèi)存超頻到133MHz使用以獲得CPU超頻成功，值得一提的是，為了方便一些超頻用戶需求，市場(chǎng)上出現(xiàn)了一些PC150、PC166規(guī)范的內(nèi)存。
盡管SDRAM PC133內(nèi)存的帶寬可提高帶寬到1064MB/S，加上Intel已經(jīng)開始著手最新的Pentium 4計(jì)劃，所以SDRAM PC133內(nèi)存不能滿足日后的發(fā)展需求，此時(shí)，Intel為了達(dá)到獨(dú)占市場(chǎng)的目的，與Rambus聯(lián)合在PC市場(chǎng)推廣Rambus DRAM內(nèi)存(稱為RDRAM內(nèi)存)。與SDRAM不同的是，其采用了新一代高速簡(jiǎn)單內(nèi)存架構(gòu)，基于一種類RISC(Reduced Instruction Set Computing，精簡(jiǎn)指令集計(jì)算機(jī))理論，這個(gè)理論可以減少數(shù)據(jù)的復(fù)雜性，使得整個(gè)系統(tǒng)性能得到提高。
在AMD與Intel的競(jìng)爭(zhēng)中，這個(gè)時(shí)候是屬于頻率競(jìng)備時(shí)代，所以這個(gè)時(shí)候CPU的主頻在不斷提升，Intel為了蓋過AMD，推出高頻PentiumⅢ以及Pentium 4 處理器，因此Rambus DRAM內(nèi)存是被Intel看著是未來自己的競(jìng)爭(zhēng)殺手锏，Rambus DRAM內(nèi)存以高時(shí)鐘頻率來簡(jiǎn)化每個(gè)時(shí)鐘周期的數(shù)據(jù)量，因此內(nèi)存帶寬相當(dāng)出色，如PC 1066 1066 MHz 32 bits帶寬可達(dá)到4.2G Byte/sec，Rambus DRAM曾一度被認(rèn)為是Pentium 4 的絕配。
盡管如此，Rambus RDRAM 內(nèi)存生不逢時(shí)，后來依然要被更高速度的DDR“掠奪”其寶座地位，在當(dāng)時(shí)，PC600、PC700的Rambus RDRAM 內(nèi)存因出現(xiàn)Intel820 芯片組“失誤事件”、PC800 Rambus RDRAM因成本過高而讓Pentium 4平臺(tái)高高在上，無法獲得大眾用戶擁戴，種種問題讓Rambus RDRAM胎死腹中，Rambus曾希望具有更高頻率的PC1066 規(guī)范RDRAM來力挽狂瀾，但最終也是拜倒在DDR 內(nèi)存面前。
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