怎樣區(qū)分內(nèi)存條是幾代的
學(xué)習(xí)啦小編和廣大的電腦愛好者分享內(nèi)存條怎樣區(qū)分是幾代的?希望能夠給大家?guī)砀鄬?shí)用的電腦知識!
怎樣區(qū)分內(nèi)存條是幾代的
防呆缺口:位置不同防插錯
防呆缺口,目的是讓我們安裝內(nèi)存時以免插錯。我們可以看見三代內(nèi)存上都只有一個防呆缺口,大家注意一下這三個卡口的左右兩邊的金屬片,就可以發(fā)現(xiàn)缺口左右兩邊的金屬片數(shù)量是不同的。
比如DDR 內(nèi)存單面金手指針腳數(shù)量為92個(雙面184個),缺口左邊為52個針腳,缺口右邊為40個針腳;DDR2 內(nèi)存單面金手指120個(雙面240個),缺口左邊為64個針腳,缺口右邊為56個針腳;DDR3內(nèi)存單面金手指也是120個(雙面240個),缺口左邊為72個針腳,缺口右邊為48個針腳。
芯片封裝:濃縮是精華
在不同的內(nèi)存條上,都分布了不同數(shù)量的塊狀顆粒,它就是我們所說的內(nèi)存顆粒。同時我們也注意到,不同規(guī)格的內(nèi)存,內(nèi)存顆粒的外形和體積不太一樣,這是因?yàn)閮?nèi)存顆粒“包裝”技術(shù)的不同導(dǎo)致的。一般來說,DDR內(nèi)存采用了TSOP(Thin Small Outline Package,薄型小尺寸封裝)封裝技術(shù),又長又大。而DDR2和DDR3內(nèi)存均采用FBGA(底部球形引腳封裝)封裝技術(shù),與TSOP相比,內(nèi)存顆粒就小巧很多,F(xiàn)BGA封裝形式在抗干擾、散熱等方面優(yōu)勢明顯。
TSOP是內(nèi)存顆粒通過引腳焊接在內(nèi)存PCB上的,引腳由顆粒向四周引出,所以肉眼可以看到顆粒與內(nèi)存PCB接口處有很多金屬柱狀觸點(diǎn),并且顆粒封裝的外形尺寸較大,呈長方形,其優(yōu)點(diǎn)是成本低、工藝要求不高,但焊點(diǎn)和PCB的接觸面積較小,使得DDR內(nèi)存的傳導(dǎo)效果較差,容易受干擾,散熱也不夠理想。
FBGA封裝把DDR2和DDR3內(nèi)存的顆粒做成了正方形,而且體積大約只有DDR內(nèi)存顆粒的三分之一,內(nèi)存PCB上也看不到DDR內(nèi)存芯片上的柱狀金屬觸點(diǎn),因?yàn)槠渲鶢詈更c(diǎn)按陣列形式分布在封裝下面,所有的觸點(diǎn)就被“包裹”起來了,外面自然看不到。其優(yōu)點(diǎn)是有效地縮短了信號的傳導(dǎo)距離。
速度與容量:成倍提升
前面我們教大家如何計算內(nèi)存帶寬大小,其實(shí)我們在選擇內(nèi)存和CPU搭配的時候就是看內(nèi)存帶寬是否大于或者等于CPU的帶寬,這樣才可以滿足CPU的數(shù)據(jù)傳輸要求。
而我們從帶寬公式(帶寬=位寬×頻率÷8)可以得知,和帶寬關(guān)系最緊密的就是頻率。這也是為什么三代內(nèi)存等效頻率一升再升的原因之一,其目的就是為了滿足CPU的帶寬。
不僅速度上有所提升,而且隨著我們應(yīng)用的提高,我們也需要更大容量的單根內(nèi)存,DDR時代賣得最火的是512MB和1GB的內(nèi)存,而到了DDR2時代,兩根1GB內(nèi)存就只是標(biāo)準(zhǔn)配置了,內(nèi)存容量為4GB的電腦也逐漸多了起來。甚至在今后還會有單根8GB的內(nèi)存出現(xiàn)。這說明了人們的對內(nèi)存容量的要求在不斷提高。
延遲值:一代比一代高
任何內(nèi)存都有一個CAS延遲值,這就好像甲命令乙做事情,乙需要思考的時間一樣。一般而言,內(nèi)存的延遲值越小,傳輸速度越快。
從DDR、DDR2、DDR3內(nèi)存身上看到,雖然它們的傳輸速度越來越快,頻率越來越高,容量也越來越大,但延遲值卻提高了,譬如DDR內(nèi)存的延遲值(第一位數(shù)值大小最重要,普通用戶關(guān)注第一位延遲值就可以了)為1.5、2、2.5、3;而到了DDR2時代,延遲值提升到了3、4、5、6;到了DDR3時代,延遲值也繼續(xù)提升到了5、6、7、8或更高。
功耗:一次又一次降低
電子產(chǎn)品要正常工作,肯定要有電。有電,就需要工作電壓,該電壓是通過金手指從主板上的內(nèi)存插槽獲取的,內(nèi)存電壓的高低,也反映了內(nèi)存工作的實(shí)際功耗。一般而言,內(nèi)存功耗越低,發(fā)熱量也越低,工作也更穩(wěn)定。DDR內(nèi)存的工作電壓為2.5V,其工作功耗在10W左右;而到了DDR2時代,工作電壓從2.5V降至1.8V;到了DDR3內(nèi)存時代,工作電壓從1.8V降至1.5V,相比DDR2可以節(jié)省30%~40%的功耗。為此我們也看到,從DDR內(nèi)存發(fā)展到DDR3內(nèi)存,盡管內(nèi)存帶寬大幅提升,但功耗反而降低,此時內(nèi)存的超頻性、穩(wěn)定性等都得到進(jìn)一步提高。
制造工藝:不斷提高
從DDR到DDR2再到DDR3內(nèi)存,其制造工藝都在不斷改善,更高的工藝水平會使內(nèi)存電氣性能更好,成本更低。譬如DDR內(nèi)存顆粒廣泛采用0.13微米制造工藝,而DDR2顆粒采用了0.09微米制造工藝,DDR3顆粒則采用了全新65nm制造工藝(1微米=1000納米)。
內(nèi)存的知識就講到這里了,總的說來,內(nèi)存主要扮演著CPU數(shù)據(jù)倉庫的角色,所以CPU性能的提升,內(nèi)存的容量和性能都要跟得上,但也不可盲目地把內(nèi)存容量配得過大。對于大多數(shù)用戶來說2GB DDR2 800的內(nèi)存就足夠了,而偏高端一點(diǎn)的電腦使用總?cè)萘繛?GB的內(nèi)存就差不多了。
內(nèi)存條怎樣區(qū)分是幾代的?有什么區(qū)別?
1.SDR兩個缺口,單面84針腳,雙面168針腳,電壓3.3v,內(nèi)存顆粒長方形(已淘汰)。
2.DDR1(第一代)一個缺口,單面92針腳,雙面184針腳,電壓2.5v,內(nèi)存顆粒長方形 工作頻率266,333,400。
3.DDR2(第二代)一個缺口,單面120針腳,雙面240針腳,電壓1.8v,內(nèi)存顆粒正方形 工作頻率533,667,800。
4.DDR3(第三代)一個缺口,單面120針腳,雙面240針腳,電壓1.5v,內(nèi)存顆粒正方形 工作頻率1066,1333,1800
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