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內(nèi)存?zhèn)鬏旑愋褪鞘裁匆馑?內(nèi)存?zhèn)鬏旑愋?是指內(nèi)存所采用的內(nèi)存類型。不同類型的內(nèi)存,傳輸類型各有差異,下面跟著學(xué)習(xí)啦小編來一起了解下內(nèi)存?zhèn)鬏旑愋桶伞?/p>
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內(nèi)存?zhèn)鬏旑愋停侵竷?nèi)存所采用的內(nèi)存類型。不同類型的內(nèi)存，傳輸類型各有差異，在傳輸率、工作頻率、工作方式、工作電壓等方面，都有不同。目前，市場(chǎng)中主要有的內(nèi)存類型有SDRAM、DDRSDRAM和RDRAM三種。其中，DDRSDRAM內(nèi)存占據(jù)了市場(chǎng)的主流，而SDRAM內(nèi)存規(guī)格已不再發(fā)展，處于被淘汰的行列。RDRAM則始終未成為市場(chǎng)的主流，只有部分芯片組支持，而這些芯片組也逐漸退出了市場(chǎng)，RDRAM前景并不被看好。
1)SDRAM
SDRAM，即SynchronousDRAM(同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)，曾經(jīng)是PC電腦上最為廣泛應(yīng)用的一種內(nèi)存類型，即便在今天，SDRAM仍舊還在市場(chǎng)占有一席之地。既然是同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，那就代表著它的工作速度是與系統(tǒng)總線速度同步的。
SDRAM內(nèi)存又分為PC66、PC100、PC133等不同規(guī)格，而規(guī)格后面的數(shù)字，就代表著該內(nèi)存最大所能正常工作的系統(tǒng)總線速度，如PC100，那就說明此內(nèi)存可以在系統(tǒng)總線為100MHz的電腦中同步工作。
與系統(tǒng)總線速度同步，也就是與系統(tǒng)時(shí)鐘同步，這樣就避免了不必要的等待周期，減少數(shù)據(jù)存儲(chǔ)時(shí)間。同步還使存儲(chǔ)控制器知道在哪一個(gè)時(shí)鐘脈沖期由數(shù)據(jù)請(qǐng)求使用，因此數(shù)據(jù)可在脈沖上升期便開始傳輸。SDRAM采用3.3伏工作電壓，168Pin的DIMM接口，帶寬為64位。SDRAM不僅應(yīng)用在內(nèi)存上，在顯存上也較為常見。
2)DDR
嚴(yán)格的說，DDR應(yīng)該叫DDRSDRAM，人們習(xí)慣稱為DDR。部分初學(xué)者也常看到DDRSDRAM，就認(rèn)為是SDRAM。DDRSDRAM是DoubleDataRateSDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的意思。
DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存的基礎(chǔ)上發(fā)展而來的，仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系。因此，對(duì)于內(nèi)存廠商而言，只需對(duì)制造普通SDRAM的設(shè)備稍加改進(jìn)，即可實(shí)現(xiàn)DDR內(nèi)存的生產(chǎn)，可有效的降低成本。
SDRAM在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)只傳輸一次數(shù)據(jù)，它是在時(shí)鐘的上升期進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸;而DDR內(nèi)存則是一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸兩次數(shù)據(jù)，它能夠在時(shí)鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)。因此，稱為雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。DDR內(nèi)存可以在與SDRAM相同的總線頻率下，達(dá)到更高的數(shù)據(jù)傳輸率。
與SDRAM相比，DDR運(yùn)用了更先進(jìn)的同步電路，使指定地址、數(shù)據(jù)輸送和輸出的主要步驟，既獨(dú)立執(zhí)行，又保持與CPU完全同步。DDR使用了DLL(DelayLockedLoop，延時(shí)鎖定回路提供一個(gè)數(shù)據(jù)濾波信號(hào))技術(shù)，當(dāng)數(shù)據(jù)有效時(shí)，存儲(chǔ)控制器可使用這個(gè)數(shù)據(jù)濾波信號(hào)來精確定位數(shù)據(jù)，每16次輸出一次，并重新同步來自不同存儲(chǔ)器模塊的數(shù)據(jù)。DDR本質(zhì)上不需要提高時(shí)鐘頻率，就能加倍提高SDRAM的速度，它允許在時(shí)鐘脈沖的上升沿和下降沿讀出數(shù)據(jù)，因而其速度是標(biāo)準(zhǔn)SDRA的兩倍。
從外形體積上看，DDR與SDRAM相比差別并不大。他們具有同樣的尺寸和同樣的針腳距離。但DDR為184針腳，比SDRAM多出了16個(gè)針腳，主要包含了新的控制、時(shí)鐘、電源和接地等信號(hào)。DDR內(nèi)存采用的是支持2.5V電壓的SSTL2標(biāo)準(zhǔn)，而不是SDRAM使用的3.3V電壓的LVTTL標(biāo)準(zhǔn)。
3)RDRAM
RDRAM(RambusDRAM)是美國(guó)的RAMBUS公司開發(fā)的一種內(nèi)存。與DDR和SDRAM不同，它采用了串行的數(shù)據(jù)傳輸模式。在推出時(shí)，因?yàn)槠鋸氐赘淖兞藘?nèi)存的傳輸模式，無法保證與原有的制造工藝相兼容，而且內(nèi)存廠商要生產(chǎn)RDRAM，還必須要加納一定專利費(fèi)用，再加上其本身制造成本，就導(dǎo)致了RDRAM從一問世就高昂的價(jià)格，讓普通用戶無法接收。而同時(shí)期的DDR則能以較低的價(jià)格，不錯(cuò)的性能，逐漸成為主流，雖然RDRAM曾受到英特爾公司的大力支持，但始終沒有成為主流。
RDRAM的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)位寬是16位，遠(yuǎn)低于DDR和SDRAM的64位。但在頻率方面，則遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于二者，可以達(dá)到400MHz乃至更高。同樣也是在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù)，能夠在時(shí)鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)，內(nèi)存帶寬能達(dá)到1.6Gbyte/s。
普通的DRAM行緩沖器的信息，在寫回存儲(chǔ)器后便不再保留，而RDRAM則具有繼續(xù)保持這一信息的特性，于是在進(jìn)行存儲(chǔ)器訪問時(shí)，如行緩沖器中已經(jīng)有目標(biāo)數(shù)據(jù)，則可利用，因而實(shí)現(xiàn)了高速訪問。另外，其可把數(shù)據(jù)集中起來，以分組的形式傳送。所以，只要最初用24個(gè)時(shí)鐘，以后便可每1時(shí)鐘讀出1個(gè)字節(jié)。一次訪問所能讀出的數(shù)據(jù)長(zhǎng)度，可以達(dá)到256字節(jié)。
4)DDR2
DDR2(DoubleDataRate2)SDRAM，是由JEDEC(電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì))進(jìn)行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同就是，雖然同是采用了在時(shí)鐘的上升/下降延同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，但DDR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力(即：4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)取)。換句話說，DDR2內(nèi)存每個(gè)時(shí)鐘能夠以4倍于外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運(yùn)行。
DDR和DDR2技術(shù)對(duì)比的數(shù)據(jù)此外，由于DDR2標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定所有DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式，而不同于目前廣泛應(yīng)用的TSOP/TSOP-II封裝形式，F(xiàn)BGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性，為DDR2內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來頻率的發(fā)展提供了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。回想起DDR的發(fā)展歷程，從第一代應(yīng)用到個(gè)人電腦的DDR200，經(jīng)過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術(shù)，第一代DDR的發(fā)展也走到了技術(shù)的極限，已經(jīng)很難通過常規(guī)辦法提高內(nèi)存的工作速度。隨著Intel最新處理器技術(shù)的發(fā)展，前端總線對(duì)內(nèi)存帶寬的要求是越來越高，擁有更高更穩(wěn)定運(yùn)行頻率的DDR2內(nèi)存將是大勢(shì)所趨。
DDR4內(nèi)存的改進(jìn)：
1.DDR4內(nèi)存條外觀變化明顯，金手指變成彎曲狀
2.DDR4內(nèi)存頻率提升明顯，可達(dá)4266MHz
3.DDR4內(nèi)存容量提升明顯，可達(dá)128GB
4.DDR4功耗明顯降低，電壓達(dá)到1.2V、甚至更低
很多電腦用戶可能對(duì)于內(nèi)存的內(nèi)在改進(jìn)不會(huì)有太多的關(guān)注，而外在的變化更容易被人發(fā)現(xiàn)，一直一來，內(nèi)存的金手指都是直線型的，而在DDR4這一代，內(nèi)存的金手指發(fā)生了明顯的改變，那就是變得彎曲了，其實(shí)一直一來，平直的內(nèi)存金手指插入內(nèi)存插槽后，受到的摩擦力較大，因此內(nèi)存存在難以拔出和難以插入的情況，為了解決這個(gè)問題，DDR4將內(nèi)存下部設(shè)計(jì)為中間稍突出、邊緣收矮的形狀。在中央的高點(diǎn)和兩端的低點(diǎn)以平滑曲線過渡。這樣的設(shè)計(jì)既可以保證DDR4內(nèi)存的金手指和內(nèi)存插槽觸點(diǎn)有足夠的接觸面，信號(hào)傳輸確保信號(hào)穩(wěn)定的同時(shí)，讓中間凸起的部分和內(nèi)存插槽產(chǎn)生足夠的摩擦力穩(wěn)定內(nèi)存。
其次，DDR4內(nèi)存的金手指本身設(shè)計(jì)有較明顯變化。金手指中間的“缺口”也就是防呆口的位置相比DDR3更為靠近中央。在金手指觸點(diǎn)數(shù)量方面，普通DDR4內(nèi)存有284個(gè)，而DDR3則是240個(gè)，每一個(gè)觸點(diǎn)的間距從1mm縮減到0.85mm，筆記本電腦內(nèi)存上使用的SO-DIMM DDR4內(nèi)存有256個(gè)觸點(diǎn)，SO-DIMM DDR3有204個(gè)觸點(diǎn)，間距從0.6毫米縮減到了0.5毫米。
第三，標(biāo)準(zhǔn)尺寸的DDR4內(nèi)存在PCB、長(zhǎng)度和高度上，也做出了一定調(diào)整。由于DDR4芯片封裝方式的改變以及高密度、大容量的需要，因此DDR4的PCB層數(shù)相比DDR3更多，而整體尺寸也有了不同的變化
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