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ito基礎知識

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ito基礎知識

  ITO 是一種N型氧化物半導體-氧化銦錫,ITO薄膜即銦錫氧化物半導體透明導電膜,通常有兩個性能指標:電阻率和透光率。以下是由學習啦小編整理關于ito知識的內(nèi)容,希望大家喜歡!

  ITO的介紹

  在化學上,ITO 是Indium Tin Oxides的縮寫。

  作為納米銦錫金屬氧化物,具有很好的導電性和透明性,可以切斷對人體有害的電子輻射、紫外線及遠紅外線。因此,銦錫氧化物通常噴涂在玻璃、塑料及電子顯示屏上,用作透明導電薄膜,同時減少對人體有害的電子輻射及紫外、紅外。

  在氧化物導電膜中,以摻Sn的In2O3(ITO)膜的透過率最高和導電性能最好,而且容易在酸液中蝕刻出細微的圖形,其中透光率達90%以上。ITO中其透光率和阻值分別由In2O3與SnO2之比例來控制,通常SnO2:In2O3=1:9。

  目前ITO膜層之電阻率一般在5*10E-4左右,最好可達5*10E-5,已接近金屬的電阻率,在實際應用時,常以方塊電阻來表征ITO的導電性能,其透過率則可達90%以上,ITO膜之透過率和阻值分別由In2O3與SnO2之比例控制,增加氧化銦比例則可提高ITO之透過率,通常SnO2: In2O3=1:9,因為氧化錫之厚度超過200Å時,通常透明度已不夠好---雖然導電性能很好。

  如用是電流平行流經(jīng)ITO脫層的情形,其中d為膜厚,I為電流,L1為在電流方向上膜厚層長度,L2為在垂直于電流方向上的膜層長主,當電流流過方形導電膜時,該層電阻R=PL1/dL2式中P為導電膜 之電阻率,對于給定膜層,P和d可視為定值,P/d,當L1=L2時,怒火正方形膜層,無論方塊大小如何,其電阻均為定值P/d,此即方塊電阻定義: R□=P/d,式中R□單位為:歐姆/□(Ω/□),由此可所出方塊電阻與IOT膜層電阻率P和ITO膜厚d有關且ITO膜阻值越低,膜厚越大。

  目前在高檔STN液晶顯示屏中所用ITO玻璃,其R□可達10Ω/□左右,膜厚為100-200nm,而一般低檔TN產(chǎn)品的ITO玻璃R□為100-300Ω/□,膜厚為20-30nm。

  影響ITO阻值的因素

  1、ITO玻璃之方塊電阻

  要確保走線電阻小,應酬讓ITO玻璃方塊電阻小,因為R□=P/d,則必須選P小,d適當大些的材料。

  2、L1/L2

  L1/L2即走線在平行電流方向與垂直電流方向上的長度比,在R□一定時,要保證走線電阻值小,就要讓L1/L2小,當L1一定時,只有增大L2,也說法是在設計時,走線應盡可能加寬;而當L2一定時,L1就要小,即走線寬度一定時,細線應盡可能短。

  3、ITO阻值影響

  在LCD顯示屏設計當中,不僅要考慮走線布對ITO阻值的影響,還要考慮生產(chǎn)工藝對ITO阻值的影響,以便選擇適當方塊電阻的ITO玻璃,以便設計到制作的全面控制,生產(chǎn)高對比的LCD產(chǎn)品,這時高占空比及COG產(chǎn)品無為重要,如ITO膜厚的均勻性,因為ITO的靶材及工藝的不穩(wěn)定,會使同樣長度與寬度的ITO阻值發(fā)生變化,如目標值為10Ω時,其R□范圍在8-12Ω之間,所以在生產(chǎn)中要使用ITO膜厚均勻的導電玻璃,以減少電阻的變化,其次為ITO玻璃的耐高溫時性,酸堿性,因為通常LCD生產(chǎn)工藝中要使用高溫烘烤及各種酸堿液的浸泡,而一般在300°C *30min的環(huán)境中,會使R□增大2-3倍,而在10wt%NaOH*5min及6wt%HCL*2min(60°C)下也會增到1.1倍左右,由此可知,在生產(chǎn)工藝中不宜采用高溫生產(chǎn)及酸堿的長時清洗,若無法避免,則應盡量在低溫下進行并盡量縮短動作時間。

  4、由于在液晶顯示器中,ITO方塊電阻等效于電路圖中的分壓電阻,其阻值大小直接影響電路兩端電壓的大小,即方塊電阻越大,LCD值電壓越大。有數(shù)據(jù)表明,ITO之方塊電阻由100Ω/□降至60Ω/□。(Cell Gap為6um)左右,Vth值會降低0.03V左右。
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