ito基礎(chǔ)知識(shí)
ito基礎(chǔ)知識(shí)
ITO 是一種N型氧化物半導(dǎo)體-氧化銦錫，ITO薄膜即銦錫氧化物半導(dǎo)體透明導(dǎo)電膜，通常有兩個(gè)性能指標(biāo)：電阻率和透光率。以下是由學(xué)習(xí)啦小編整理關(guān)于ito知識(shí)的內(nèi)容，希望大家喜歡!
ITO的介紹
在化學(xué)上，ITO 是Indium Tin Oxides的縮寫。
作為納米銦錫金屬氧化物，具有很好的導(dǎo)電性和透明性，可以切斷對(duì)人體有害的電子輻射、紫外線及遠(yuǎn)紅外線。因此，銦錫氧化物通常噴涂在玻璃、塑料及電子顯示屏上，用作透明導(dǎo)電薄膜，同時(shí)減少對(duì)人體有害的電子輻射及紫外、紅外。
在氧化物導(dǎo)電膜中，以摻Sn的In2O3(ITO)膜的透過率最高和導(dǎo)電性能最好，而且容易在酸液中蝕刻出細(xì)微的圖形，其中透光率達(dá)90%以上。ITO中其透光率和阻值分別由In2O3與SnO2之比例來控制，通常SnO2:In2O3=1:9。
目前ITO膜層之電阻率一般在5*10E-4左右，最好可達(dá)5*10E-5，已接近金屬的電阻率，在實(shí)際應(yīng)用時(shí)，常以方塊電阻來表征ITO的導(dǎo)電性能，其透過率則可達(dá)90%以上，ITO膜之透過率和阻值分別由In2O3與SnO2之比例控制，增加氧化銦比例則可提高ITO之透過率，通常SnO2: In2O3=1:9，因?yàn)檠趸a之厚度超過200Å時(shí)，通常透明度已不夠好---雖然導(dǎo)電性能很好。
如用是電流平行流經(jīng)ITO脫層的情形，其中d為膜厚，I為電流，L1為在電流方向上膜厚層長度，L2為在垂直于電流方向上的膜層長主，當(dāng)電流流過方形導(dǎo)電膜時(shí)，該層電阻R=PL1/dL2式中P為導(dǎo)電膜 之電阻率，對(duì)于給定膜層，P和d可視為定值，P/d，當(dāng)L1=L2時(shí)，怒火正方形膜層，無論方塊大小如何，其電阻均為定值P/d，此即方塊電阻定義： R□=P/d，式中R□單位為：歐姆/□(Ω/□)，由此可所出方塊電阻與IOT膜層電阻率P和ITO膜厚d有關(guān)且ITO膜阻值越低，膜厚越大。
目前在高檔STN液晶顯示屏中所用ITO玻璃，其R□可達(dá)10Ω/□左右，膜厚為100-200nm，而一般低檔TN產(chǎn)品的ITO玻璃R□為100-300Ω/□，膜厚為20-30nm。
影響ITO阻值的因素
1、ITO玻璃之方塊電阻
要確保走線電阻小，應(yīng)酬讓ITO玻璃方塊電阻小，因?yàn)镽□=P/d，則必須選P小，d適當(dāng)大些的材料。
2、L1/L2
L1/L2即走線在平行電流方向與垂直電流方向上的長度比，在R□一定時(shí)，要保證走線電阻值小，就要讓L1/L2小，當(dāng)L1一定時(shí)，只有增大L2，也說法是在設(shè)計(jì)時(shí)，走線應(yīng)盡可能加寬;而當(dāng)L2一定時(shí)，L1就要小，即走線寬度一定時(shí)，細(xì)線應(yīng)盡可能短。
3、ITO阻值影響
在LCD顯示屏設(shè)計(jì)當(dāng)中，不僅要考慮走線布對(duì)ITO阻值的影響，還要考慮生產(chǎn)工藝對(duì)ITO阻值的影響，以便選擇適當(dāng)方塊電阻的ITO玻璃，以便設(shè)計(jì)到制作的全面控制，生產(chǎn)高對(duì)比的LCD產(chǎn)品，這時(shí)高占空比及COG產(chǎn)品無為重要，如ITO膜厚的均勻性，因?yàn)镮TO的靶材及工藝的不穩(wěn)定，會(huì)使同樣長度與寬度的ITO阻值發(fā)生變化，如目標(biāo)值為10Ω時(shí)，其R□范圍在8-12Ω之間，所以在生產(chǎn)中要使用ITO膜厚均勻的導(dǎo)電玻璃，以減少電阻的變化，其次為ITO玻璃的耐高溫時(shí)性，酸堿性，因?yàn)橥ǔCD生產(chǎn)工藝中要使用高溫烘烤及各種酸堿液的浸泡，而一般在300°C *30min的環(huán)境中，會(huì)使R□增大2-3倍，而在10wt%NaOH*5min及6wt%HCL*2min(60°C)下也會(huì)增到1.1倍左右，由此可知，在生產(chǎn)工藝中不宜采用高溫生產(chǎn)及酸堿的長時(shí)清洗，若無法避免，則應(yīng)盡量在低溫下進(jìn)行并盡量縮短動(dòng)作時(shí)間。
4、由于在液晶顯示器中，ITO方塊電阻等效于電路圖中的分壓電阻，其阻值大小直接影響電路兩端電壓的大小，即方塊電阻越大，LCD值電壓越大。有數(shù)據(jù)表明，ITO之方塊電阻由100Ω/□降至60Ω/□。(Cell Gap為6um)左右，Vth值會(huì)降低0.03V左右。
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